[发明专利]改善金属层腐蚀缺陷方法有效
| 申请号: | 201711279353.X | 申请日: | 2017-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN107993939B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
| 发明(设计)人: | 张钱;昂开渠;任昱;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改善 金属 腐蚀 缺陷 方法 | ||
1.一种改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,包括:
获得金属层刻蚀步骤光刻胶消耗量跟产品透光率的相关性;所述光刻胶消耗量跟所述产品透光率成线性关系,满足公式Y1=aX+b,其中Y1为所述光刻胶消耗量,X为所述产品透光率,a,b为常量;
获得对光刻胶进行前处理时光刻胶刻蚀速率跟产品透光率的相关性;所述对光刻胶进行前处理时光刻胶刻蚀速率跟所述产品透光率成线性关系,满足公式Y2=cX+d,其中Y2为所述光刻胶刻蚀速率,X为所述产品透光率,c,d为常量;
设定光刻胶剩余厚度目标值,并根据第一步和第二步,确定每个光刻胶的光刻胶前处理的理论时间;所述光刻胶前处理的理论时间根据公式Time=(T0-T1-Y1)/Y2求得,其中Time为所述光刻胶前处理时间,T0为初始光刻胶厚度,T1为光刻胶剩余厚度目标值,Y1为所述光刻胶消耗量,Y2为所述光刻胶刻蚀速率;以及
应用第三步的理论时间对产品的光刻胶进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,应用第三步的理论时间对产品的光刻胶进行刻蚀的步骤包括:对所述产品的光刻胶进行前处理,用于调整光刻胶厚度。
3.如权利要求1或2所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,采用Ar/N2/O2的混合气体对所述产品的光刻胶进行前处理,所述混合气体比例根据不同产品对刻蚀速率的不同要求进行改变。
4.如权利要求1所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,应用第三步的理论时间对产品的光刻胶进行刻蚀的步骤中,对光刻胶刻蚀纵向速率快,横向速率慢,从而降低对金属层线横向线宽的影响。
5.如权利要求1所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,所述光刻胶剩余厚度目标值的规格满足
6.如权利要求1所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,应用第三步的理论时间对产品的光刻胶进行刻蚀后,获得光刻胶刻蚀后实际厚度,并与设定的光刻胶剩余厚度目标值进行验证。
7.如权利要求1所述的改善金属层腐蚀缺陷方法,其特征在于,所述改善金属层腐蚀缺陷方法集成在金属层刻蚀程式里,跟金属层刻蚀步骤在同一个工艺腔内完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





