[发明专利]一种高压快沿脉冲源

权利要求书

1.一种高压快沿脉冲源，其特征在于，所述脉冲源包括：高压产生电路、高压开关、采样电路、控制电路以及触发电路；

所述高压产生电路用于产生恒定的直流高压输入至所述高压开关；

所述采样电路对所述高压开关电路的电流进行采样，获得采样信号；

所述控制电路，用于产生设定频率的脉冲输入到所述触发电路；还用于产生控制信号给所述高压产生电路，所述控制信号用于调节所述高压产生电路的振荡频率；所述控制电路还用于，接收所述采样信号，依据所述采样信号设置所述控制信号；

所述触发电路依据所述设定频率的脉冲控制所述高压开关的通断；

所述高压开关在接通时对所述直流高压进行输出。

2.如权利要求1所述的高压快沿脉冲源，其特征在于，所述高压产生电路包括开关电源和倍压整流boost电路；

所述boost电路包括输入电容C₁、输出电容C₂、耦合电感、第一二极管D₁、第二二极管D₂以及金属氧化物半导体场效应管MOSFET T₁；

所述耦合电感由初级电感L₁和次级电感L₂顺次绕在同一个磁芯上构成；

所述MOSFET的漏极接在L₁和L₂之间，MOSFET的源极和L₁之间连接输入电容C₁，MOSFET的源极和L₂之间连接输出电容C₂，源极和漏极之间连接D₁，D₁的方向为由源极至漏极；

L₂和C₁之间连接D₂，D₂的方向为由L₂至C₁；

所述开关电源并联在所述C₁的两端作为输入电压；所述C₂的两端电压为输出电压，C₂的两端并联一个输出电阻。

3.如权利要求2所述的高压快沿脉冲源，其特征在于，所述输入电压为U_i，所述输出电压为U_o，所述L₁的匝数为n₁，所述L₂的匝数为n₂，匝数比为N＝n₂/n₁；

则配置所述T₁的占空比D为：

4.如权利要求1～3所述的高压快沿脉冲源，其特征在于，所述高压开关采用N沟道的MOSFET。

5.如权利要求1～3所述的高压快沿脉冲源，其特征在于，所述触发电路为单稳态触发器。