[发明专利]衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件有效
申请号: | 201711274870.8 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108039420B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 汪军;李广耀;王东方;刘军;袁广才;程磊磊 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 及其 制备 方法 有机 发光二极管 显示 器件 | ||
本发明公开了一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件,该衬底包括:金属箔,所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化,所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构,该衬底可以减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失,提高采用该衬底的发光器件的出光效率,提高光利用率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件。
背景技术
有机发光二极管OLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)显示器件为一种主动发光的显示器件,如图1所示,OLED显示器件主要包括衬底1,设置在衬底1上的阳极2、有机发光层3和阴极4,针对底发光的OLED器件,如图1所示,有机发光层3产生的光线经过有机发光层3、阳极2和衬底1,最后从衬底1射出进入空气。
由于有机发光层产生的光线需要经过阳极和衬底等,会造成光线的损失,出光效率低。
发明内容
本发明提供一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种衬底,包括:金属箔,所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化,所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构。
可选的,多个所述凹陷陷光微结构呈蜂窝状排列。
可选的,所述金属箔为铝箔或者钛箔。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种有机发光二极管显示器件,所述显示器件包括上述任一种衬底。
根据本发明实施例的第三方面,提供一种衬底的制备方法,包括:
提供一金属箔;
对所述金属箔进行氧化,使其表面形成多个厚度呈周期性变化的金属氧化层;
通过酸性溶液剥离所述金属氧化层,去除所述金属氧化层的同时在所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构。
可选的,在所述提供一金属箔之后,还包括:
对所述金属箔进行压印,使所述金属箔表面形成多个凹坑微结构。
可选的,所述提供一金属箔包括:
对金属片进行表面压平处理,并去除金属片表面的天然氧化膜;
对所述金属片进行化学抛光后形成所述金属箔。
可选的,所述对所述金属箔进行压印,使所述金属箔表面形成多个凹坑微结构,包括:
以具有周期性凸起图案的光栅板为模板,通过热压方式在所述金属箔表面形成周期性排列的多个凹坑微结构。
可选的,所述对所述金属箔进行氧化,使其表面形成多个厚度呈周期性变化的金属氧化层,包括:
以所述金属箔为阳极,以碳棒为阴极,以酸性溶液为电解液进行电解,使所述金属箔表面形成纳米管阵列结构的金属氧化层。
可选的,所述通过酸性溶液剥离所述金属氧化层,包括:
以所述金属箔为阴极,以碳棒为阳极,以酸性溶液为电解液进行电解,使所述金属氧化层与金属箔分离。
根据上述实施例可知,该衬底采用金属箔材料,金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构,当光线入射至该凹陷陷光微结构时,可对光线进行反射、折射和散射,将光线分散到各个角度,进而,减少在衬底与空气之间的界面发生全反射的光线,减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失,提高采用该衬底的发光器件的出光效率,提高光利用率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711274870.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择