[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底，以及用间隙填充材料填充第一器件管芯和第二器件管芯之间的间隙。间隙填充材料的顶部覆盖第一器件管芯和第二器件管芯。形成通孔以穿过间隙填充材料的顶部。通孔电连接至第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括使用镶嵌工艺在间隙填充材料上方形成再分布线，以及在再分布线上方形成电连接至再分布线的电连接件。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

随着更多的器件管芯封装在相同的封装件中以实现更多的功能，集成电路的封装件变得越来越复杂。例如，封装件可以包括接合至相同的中介层的诸如处理器和存储器数据集的多个器件管芯。可以基于半导体衬底形成中介层，其中硅通孔形成在半导体衬底中以互连形成在中介层的相对侧上的部件。模塑料将器件管芯包封在其中。包括中介层和器件管芯的封装件进一步接合至封装衬底。此外，表面安装器件也可以接合至衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面以消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定在封装衬底上的裙部(skirt portion)。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底；用间隙填充材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述间隙填充材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；形成通孔，所述通孔穿过所述间隙填充材料的顶部，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；使用镶嵌工艺在所述间隙填充材料上方形成再分布线；以及在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件。

本发明的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯附接至散热器；用介电材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述介电材料的的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；形成穿过所述介电材料的顶部的通孔，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；在所述介电材料上方形成多个介电层；使用双镶嵌工艺在所述多个介电层中形成再分布线；在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件；以及实施管芯锯切以割穿所述散热器、所述介电材料和所述多个介电层以形成多个封装件。

本发明的又一实施例提供了一种封装件器件，包括：空白衬底；第一器件管芯和第二器件管芯，接合至所述空白衬底；间隙填充材料，包括：第一部分，填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙；以及第二部分，覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；通孔，穿过所述间隙填充材料的第二部分以电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；多个介电层，位于所述间隙填充材料上方；以及多条再分布线，位于所述多个介电层中，其中，所述多条再分布线包括双镶嵌结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A和图1B至图11示出了根据一些实施例的在使用再分布线(RDL)后工艺形成封装件中的中间阶段的截面图。

图12至图13示出了根据一些实施例的使用RDL后工艺形成的一些封装件的截面图。

图14示出了根据一些实施例的封装件中的双镶嵌结构和凸块下金属(UBM)。

图15示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。

具体实施方式