[发明专利]碳化钽陶瓷先驱体合成方法及所得碳化钽陶瓷有效
| 申请号： | 201711273338.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107915489B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 简科;王军;王浩;邵长伟;王小宙;苟燕子;谢征芳 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 43225 长沙国科天河知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董惠文 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化 陶瓷 先驱 合成 方法 所得 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在保护气氛下，向钽源化合物中加入三乙胺然后滴加多胺化合物，搅拌反应2～8h，之后升温至280～350℃，保温0.5～4h，冷却至室温得到所述碳化钽陶瓷先驱体，所述钽源化合物为TaCl5、TaBr5或TaI5中的任意种的混合物或任一种；
所述多胺化合物为至少含有两个N-H键且不含氧的多胺基或多亚胺基化合物中的任意种的混合物或任一种。
2.根据权利要求1所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，按Ta-X键与N-H键的摩尔比为1:1～1:5混合所述钽源化合物和所述多胺化合物，其中X为Cl、Br或I。
3.根据权利要求1所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述升温至温度300～320℃。
4.根据权利要求1所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述保温时间为1～2h。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述搅拌反应时间为4～6h。
6.根据权利要求5所述的碳化钽陶瓷先驱体合成方法，其特征在于，所述保护气氛为纯度≥99.999％的氮气或氩气。
7.一种碳化钽陶瓷先驱体，其特征在于，按权利要求1～6中任一项所述的方法制备得到。
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