[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种用于鳍式场效应晶体管FinFET的互连结构，所述互连结构包括：

源极接触件，设置在所述FinFET的源极上方并且物理接触所述FinFET的源极；

漏极接触件，设置在所述FinFET的漏极上方并且物理接触所述FinFET的漏极；

栅极节点通孔，电连接至所述FinFET的栅极结构；

源极节点通孔，设置在所述源极接触件上方，并且物理接触所述源极接触件而不物理接触所述栅极结构，其中，源极节点通孔尺寸比限定了所述源极节点通孔的最长尺寸与所述源极节点通孔的最短尺寸之间的比率；以及

漏极节点通孔，设置在所述漏极接触件上方，并且物理接触所述漏极接触件而不物理接触所述栅极结构，电连接至所述FinFET的漏极，其中，漏极节点通孔尺寸比限定了所述漏极节点通孔的最长尺寸与所述漏极节点通孔的最短尺寸之间的比率，并且所述源极节点通孔尺寸比还大于所述漏极节点通孔尺寸比。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述源极节点通孔尺寸比大于2，并且所述漏极节点通孔尺寸比小于1.2。

3.根据权利要求2所述的互连结构，其中，栅极节点通孔尺寸比限定了所述栅极节点通孔的最长尺寸与所述栅极节点通孔的最短尺寸之间的比率，并且所述栅极节点通孔尺寸比还小于1.2。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述漏极节点通孔的最长尺寸或最短尺寸大于所述栅极节点通孔的最长尺寸或最短尺寸。

5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述源极节点通孔不设置在所述FinFET的鳍上方，并且所述漏极节点通孔设置在所述FinFET的至少一个鳍上方。

6.根据权利要求5所述的互连结构，其中，所述栅极节点通孔物理连接至所述栅极。

7.根据权利要求5所述的互连结构，还包括：栅极接触件，所述栅极接触件将所述栅极节点通孔物理连接至所述栅极。

8.根据权利要求5所述的互连结构，其中，源极接触件尺寸比限定了所述源极接触件的最长尺寸与所述源极接触件的最短尺寸之间的比率，并且所述源极接触件尺寸比还大于所述源极节点通孔尺寸比。

9.根据权利要求8所述的互连结构，其中，所述源极节点通孔尺寸比大于2，并且所述源极接触件尺寸比大于3。

10.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述栅极节点通孔、所述源极节点通孔和所述漏极节点通孔中的至少一个具有包括高k电介质材料的通孔衬垫层。

11.一种用于鳍式场效应晶体管FinFET器件的互连结构，所述互连结构包括：

栅极节点通孔，电连接至栅极结构，其中，所述栅极结构介于第一FinFET的第一源极和第一漏极之间，并且，所述栅极结构还介于第二FinFET的第二源极和第二漏极之间；

第一源极接触件和第二源极接触件，分别直接设置在所述第一源极和所述第二源极上；

第一漏极接触件和第二漏极接触件，分别直接设置在所述第一漏极和所述第二漏极上；

第一源极节点通孔和第二源极节点通孔，分别直接设置在所述第一源极接触件和所述第二源极接触件上而不在所述第一FinFET的所述栅极结构上方延伸；

第一漏极节点通孔和第二漏极节点通孔，分别直接设置在所述第一漏极接触件和所述第二漏极接触件上而不在所述第一FinFET的所述栅极结构上方延伸；

其中，所述第一源极节点通孔和所述第二源极节点通孔的第一通孔尺寸比大于所述栅极节点通孔的第二通孔尺寸比；以及

其中，所述第一通孔尺寸比还大于所述第一漏极节点通孔和所述第二漏极节点通孔的第三通孔尺寸比。

12.根据权利要求11所述的互连结构，其中，所述第一通孔尺寸比大于2，所述第二通孔尺寸比小于1.2，并且所述第三通孔尺寸比小于1.2。