[发明专利]一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法

权利要求书

1.一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)在固定有芯片和金属焊盘的衬底表面涂覆一层干膜光刻胶；

2)对经过步骤1)处理的衬底进行曝光、显影，在芯片与衬底的金属焊盘上分别显影过孔；

3)在经过步骤2)处理的衬底表面制备一层种子层；

4)在所述种子层的表面再涂覆一层干膜光刻胶；

5)对涂覆所述干膜光刻胶后的衬底进行光刻、显影，使得芯片与金属焊盘上方的过孔以及过孔之间对应位于下述引线下方的种子层暴露出来；

6)在暴露的所述种子层上电镀金属层，形成过孔之间的引线；所述金属层为铜、金、铜镍复合层或铜金复合层中一种；

7)移除作为牺牲层的干膜光刻胶和种子层，最终形成悬空的引线互连结构。

2.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤1)时，涂覆干膜光刻胶采用热辊压或真空贴膜技术。

3.根据权利要求2所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤1)时，芯片厚度为20至100μm，干膜厚度为15-60μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤2)时，过孔的尺寸为20～50μm，以芯片与衬底上正对的两个过孔为一组，相邻组过孔的间距为15～55μm，同组过孔之间引线长度大于50μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤3)时，制备种子层采用溅射，种子层材料采用铬铜复合层或钛铜复合层。

6.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤4)时，涂覆干膜光刻胶采用热辊压或真空贴膜技术。

7.根据权利要求6所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤4)时，干膜厚度为15-60μm。

8.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤5)时，过孔之间引线的截面形状为方形，宽度为20-60μm。

9.根据权利要求1所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤6)时，电镀铜的厚度范围是10-60μm，电镀镍的厚度范围是1-5μm，电镀金的厚度范围是1-10μm。

10.根据权利要求1-9任一项所述的一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，其特征在于，在执行所述步骤7)时，具有以下一种或多种特征：

-去除干膜光刻胶采用质量浓度为4％～40％的氢氧化钠溶液；

-所述种子层为铬铜种子层时，去除其中的铜种子层使用氨水和双氧水的混合液，体积比为40:1～1:1之间；去除其中的铬种子层采用高锰酸钾或者铁氰化钾溶液；

-所述种子层为钛铜种子层时，去除其中的铜种子层使用氨水和双氧水的混合液，体积比为40:1～1:1之间；去除其中的钛种子层采用氢氟酸溶液。