[发明专利]法珀传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种法珀传感器，包括：

基部；

腔体，形成在所述基部和压力敏感膜片之间，且由基部和压力敏感膜片封闭；

所述压力敏感膜片，固定到所述基部，其中，所述压力敏感膜片具有一个或多个局部区域，每一个局部区域具有掺杂到压力敏感膜片的基础材料中以产生应力的掺杂物质，任一局部区域不贯穿压力敏感膜片的整个厚度，所述压力敏感膜片在所述应力的作用下呈现波状构造；

光纤，用于传导光信号，所述光纤的一个端部固定到基部的光纤安装部，所述光纤安装部位于基部的、与所述腔体相对的端部处。

2.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述压力敏感膜片为一体的单层结构。

3.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述压力敏感膜片的厚度为1μm至5μm。

4.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述基部的厚度为200μm至500μm。

5.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述腔体的直径为80μm至300μm。

6.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述应力为拉应力。

7.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述应力为压应力。

8.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述一个或多个局部区域包括位于压力敏感膜片中心位置处的大致圆形区域。

9.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述一个或多个局部区域包括围绕压力敏感膜片中心位置的大致环形区域。

10.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述局部区域位于压力敏感膜片的靠近腔体的局部厚度中。

11.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述局部区域位于压力敏感膜片的远离腔体的局部厚度中。

12.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，在不同的局部区域掺杂有不同的掺杂物质。

13.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，在同一局部区域掺杂有不同的掺杂物质。

14.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述压力敏感膜片的所述基础材料为硅。

15.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述掺杂物质为以下材料中的一种或多种：P、B、As、Al、Ga、Sb、Ge、O、Au、Fe、Cu、Ni、Zn、Mg。

16.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述光纤通过UV胶固定到光纤接收部。

17.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述法珀传感器还包括第一反射膜和第二反射膜，所述第一反射膜位于压力敏感膜片的一侧上，且第二反射膜位于所述腔体的底部。

18.如前一权利要求所述的法珀传感器，其中，形成所述第一反射膜和第二反射膜的材料为以下至少之一：Cr、Ti、Au、Ag、TaN、Al₂O₃、Ta₂O₅。

19.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述形成基部的材料为以下至少之一：玻璃、单晶硅、碳化硅、蓝宝石。

20.如权利要求1所述的法珀传感器，其中，所述腔体为真空腔。