[发明专利]太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件在审

专利信息
申请号: 201711268793.5 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN107863404A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 郁操;杨苗;徐希翔 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/05;H01L31/18
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司11252 代理人: 周放,张春雨
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制备 方法 以及 组件
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能技术领域,尤其涉及一种太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展,异质结太阳能电池以其高效和高稳定性的特点成为主流太阳能电池之一,根据不同的安装方式和安装环境,具有双面发电性能的异质结太阳能电池的实际户外发电量比传统晶硅电池高出 15-30%。而评价异质结太阳能电池性能优劣的一个重要指标为短路电流密度Jsc,短路电流密度Jsc越大,电池效率越高。

因异质结太阳能电池双面发电的特性,其两面均设置有电极,并且电极包括多根间隔分布的细栅线和主栅线。而该主栅线会遮挡异质结太阳能电池片的部分受光面积,从而降低了异质结太阳能电池片的短路电流密度,进而导致异质结太阳能电池效率降低。另外,主栅线采用银材质制成,大量用做主栅线时,成本非常高昂。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件,以解决上述问题,增加太阳能电池片的受光面,从而提高其短路电流密度,进而达到增加太阳能电池片转换效率的目的;同时降低制造成本。

本发明提供了一种太阳能电池片,所述太阳能电池片从上至下依次包括第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极;所述第一掺杂层和所述第二掺杂层pn结合;

所述双面发电太阳能电池片还包括导电连接件,所述导电连接件的一端与所述第一电极电连接,所述导电连接件的另一端延伸至所述第二透明导电层靠近所述第二电极的一侧。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第一电极包括多条第一细栅线,多条所述第一细栅线交汇形成第一汇流点;

所述导电连接件与所述第一汇流点电连接。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第二电极包括多条第二细栅线,多条所述第二细栅线交汇形成第二汇流点。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第一汇流点和所述第二汇流点的数量均为多个。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述导电连接件的数量为多个。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述双面发电太阳能电池片上开设有通孔,所述导电连接件设置在所述通孔中。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述通孔的内壁和靠近所述第二透明导电层的一侧边缘上均设置有第一绝缘膜。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第二透明导电层上均开设有绝缘孔,所述绝缘孔位于所述通孔的四周,将第二透明导电层与所述导电连接件进行绝缘。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述通孔按照 n*n阵列分布于所述双面发电太阳能电池片上,其中n为大于等于3的整数。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述导电连接件为银浆灌制形成。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第一掺杂层为N型非晶硅基层,所述第二掺杂层为P型非晶硅基层。

如上所述的双面发电太阳能电池片,其中,优选的是,所述第一钝化层和所述第二钝化层均为非晶硅基本征层。

本发明还提供了一种太阳能电池片的制备方法,包括:

步骤S1:在单晶硅片上开设通孔;

步骤S2:对单晶硅片的两面进行制绒和清洗;

步骤S3:在单晶硅片的一面依次沉积第一钝化层和第一掺杂层;在单晶硅片的另一面依次沉积第二钝化层和第二掺杂层;

步骤S4:在第一掺杂层上沉积第一透明导电层;在第二掺杂层上沉积第二透明导电层;

步骤S5:在第一透明导电层上制备第一电极;然后在第二透明导电层上制备第二电极;在制备第一电极或者第二电极的同时制备导电连接件。

如上所述的太阳能电池片的制备方法,其中,优选的是,步骤S1中,通过激光打孔,在N型硅片上形成通孔。

如上所述的太阳能电池片的制备方法,其中,优选的是,在步骤S4之后,步骤S5之前,还包括:

步骤S400:通过腐蚀工艺或者激光刻蚀工艺,将单晶硅片的通孔的侧壁上沉积的第一透明导电层和第二透明导电层腐蚀。

如上所述的太阳能电池片的制备方法,其中,优选的是,在步骤S4之后,步骤S5之前,还包括:

步骤S401:在所述通孔的内壁上制备第一绝缘膜。

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