[发明专利]有机发光二极管器件及其制备方法、显示面板、显示装置在审
| 申请号: | 201711266868.6 | 申请日: | 2017-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN107799662A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
| 发明(设计)人: | 周威龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 器件 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管器件,其特征在于,包括基底,以及设于所述基底一侧的发光单元和第一结构层,其中,所述发光单元设于第一结构层远离基底的一侧,所述发光单元的出光面的表面积大于所述发光单元在基底上的正投影面积。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述发光单元的出光面包括向靠近基底一侧凸出的曲面。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述曲面包括球冠状曲面或者由多个球冠状构成的凹凸曲面。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述球冠底圆半径为r,球冠的高为H,其中,arctan(H/r)的范围为20°~40°。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第一结构层靠近发光单元的面与发光单元靠近第一结构层的面的形状相对应且相互接触。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第一结构层远离基底的一侧还设有多个像素界定结构,发光单元设于相邻的像素界定结构之间,相邻的像素界定结构之间限定出发光单元在基底上的正投影面积。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述有机发光二极管器件为顶发射型,所述像素界定结构远离基板的一侧还设有封装层,所述像素界定结构与封装层之间设有隔垫物。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述发光单元包括阴极和阳极,以及设于所述阴极和阳极之间的有机发光材料层。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述发光单元还包括空穴注入层,空穴传输层,电子传输层以及电子注入层。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述发光单元与基底之间设有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,栅极,源极和漏极,所述漏极与所述阳极连接。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述发光单元出光面外设有光线调整部件,用于将由发光单元射入的光线调整部件的光线转变为平行光射出。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述光线调整部件包括透镜。
13.一种有机发光二极管器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基底一侧形成第一结构层;
在第一结构层远离基底的一侧形成发光单元;
其中,所述发光单元的出光面的表面积大于所述发光单元在基底上的正投影面积;
所述形成第一结构层包括:
形成平坦化层;
在平坦化层远离基底一侧的表面形成向靠近基底一侧凸出的曲面得到第一结构层。
14.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的有机发光二极管器件。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求14所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





