[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711266670.8 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108346654B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张育麒;温文莹;邱瀚辉 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊;孙乳笋 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：
一高侧区域及一低侧区域，其中所述高侧区域包括：
多个半导体元件，具有至少两个不同操作电压的元件；以及
至少一隔离结构，位于所述不同操作电压的元件之间；
所述的隔离结构包括一第二导电型掺杂区，完全包覆所述不同操作电压的元件中的低压元件。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的不同操作电压的元件更包括高压元件。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的高侧区域的所述半导体元件是形成于一基板上，且所述高侧区域更包括一第一导电型埋层，位于所述基板与所述半导体元件之间。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述的第一导电型埋层为N型埋层，所述第二导电型掺杂区为P型掺杂区。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述的隔离结构更包括贯穿所述第一导电型埋层的浅沟渠隔离结构。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述的隔离结构更包括：
一第二导电型隔离区，位于所述不同操作电压的元件之间；以及
一第二导电型埋层，位于所述第二导电型隔离区底下的所述第一导电型埋层之间。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述的第二导电型隔离区为完全空乏的。
8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述的第一导电型埋层为N型埋层，所述第二导电型隔离区为P型隔离区以及所述第二导电型埋层为P型埋层，反之亦然。
9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述的第二导电型隔离区的宽度根据所述不同操作电压的元件的电位差而订定。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的低压元件包括低压N型金属氧化物半导体场效电晶体和低压P型金属氧化物半导体场效电晶体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
