[发明专利]含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法

权利要求书

1.一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED，包含：

CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层，其中X＝Cl、Br或I；

p型空穴传输层，沿第一方向形成于所述CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；

透明导电阳极，形成于所述p型空穴传输层上；

n型电子传输层，沿与第一方向相反的第二方向形成于所述CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；

电子注入层，形成于所述n型电子传输层上；以及

电极，形成于所述电子注入层上。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其中，所述CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层的厚度为100～150μm，其缺陷态密度为108～109cm-3。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其中，所述透明导电阳极的材料选自氧化铟锡、掺氟的氧化锡或石墨烯，其厚度为50～80nm，其电阻率为10-3～10-4Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其中，所述p型空穴传输层的材料选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒或氧化钨纳米颗粒，颗粒尺寸为5～10nm，层厚度为30～50nm。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿LED，其中，所述n型电子传输层的材料选自氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒或氧化锡纳米颗粒，颗粒尺寸为1～5nm，层厚度为30～50nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的钙钛矿LED，其中：

所述电子注入层的材料选自氟化锂、氟化钙或氟化镁，层厚度为1～5nm；和/或

所述电极为金属电极，其厚度为100～150nm。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿LED，其中，所述金属电极的材料选自铝或银。

8.一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED的制备方法，包含以下步骤：

在CH3NH3PbX3钙钛矿单晶薄片的一侧晶面上形成p型空穴传输层，其中，X＝Cl、Br或I；

在所述p型空穴传输层上形成透明导电阳极层；

在CH3NH3PbX3钙钛矿单晶薄片的另一侧晶面上形成n型电子传输层；

在所述n型电子传输层上形成电子注入层；以及

在所述电子注入层上制作电极。