[发明专利]一种多FPGA的上电配置控制方法有效

专利信息
申请号: 201711265491.2 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN107967041B 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 余达;刘金国;周怀得;马庆军;陈佳豫;张博研;浦前帅 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G06F1/18 分类号: G06F1/18;G06F1/3234
代理公司: 22214 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 代理人: 王丹阳
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 fpga 配置 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征是;包括FPGA上电配置控制系统,所述FPGA上电配置控制系统包括DC/DC电源、外部电路、FPGA的IO供电LDO、FPGA的内核供电LDO及RC延时电路;

所述DC/DC电源输出的电压经传输电缆和各LDO分别给外部电路、FPGA的IO和内核供电;所述RC延时电路用于控制FPGA的IO供电LDO输出电压、内核供电LDO输出电压以及FPGA的program_b使能;在上电配置控制过程中,采用分时上电,具体上电配置控制方法为:

步骤一、外部电路上电;LDO处于输出常使能状态,在DC/DC电源输出电压后LDO开始输出电压;

步骤二、FPGA的IO供电LDO输出使能;

IO供电LDO受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压IO供电LDO开始输出电压,多片FPGA的IO供电LDO在相同的延时时间输出使能,所述延时时间为0.2tconfig;式中tconfig为FPGA配置的最大电源上升时间;

步骤三、FPGA的内核供电LDO输出使能;

内核供电LDO输出受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后内核供电LDO开始输出电压;

设定n片FPGA,则n片FPGA的内核电源使能间隔时间为0.6tconfig/n;即第一片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig/n,第二片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×2/n,第n片FPGA的配置起始时刻为0.2tconfig+0.6tconfig×n/n;

步骤四、FPGA的program_b使能启动配置,program_b使能受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后program_b输出使能;具体控制方法为:

FPGA的Done控制FPGA的program_b;

设定各片FPGA的配置间隔时间为单片的配置完成时间;第一片FPGA的Done连接第二片FPGA的program_b,第二片FPGA的Done连接第三片FPGA的program_b,直到完成最后一片FPGA的连接;

多片FPGA的配置时间的总长度Ttotal为:式中Ti为第i片的配置时间,Tdelay为第一片FPGA的program_b的RC延时时间;

所述式中l配置数据的总长度,m为从PROM中读出数据的位宽,fcclk为从PROM中读出的时钟频率,Tdelay_i为配置过程中非读出数据的时间。

2.根据权利要求1所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;步骤四中,FPGA的program_b使能受RC延时电路控制,当RC延时电路的电压上升到门限电压后program_b使能;还包括另一种控制方法,具体为:

设定各片FPGA之间独立,采用分别结合比较器的RC延时电路对FPGA的program_b进行控制:通过结合比较器的RC延时电路,控制不同FPGA的IO供电使能开始到对应FPGA的program_b变为高电平启动配置的时间。

3.根据权利要求2所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;所述IO供电使能开始到对应FPGA的program_b管脚变为高电平启动配置的时间式中τ为IO电源供电的RC电路的充电时间系数,k为IO供电的分压电路的分压系数,所述k的范围为:0<k<1。

4.根据权利要求1所述的一种多FPGA的上电配置控制方法,其特征在于;所述DC/DC电源的输出电压要求大于等于FPGA的IO供电LDO输出电压与LDO的压差、传输线缆的电阻、配置过程的传输线缆上的峰值电流之和。

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