[发明专利]基于EPI的光场拼接装置及方法有效

专利信息
申请号: 201711263793.6 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN108133469B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 王庆;郭满堂;周果清 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G06T5/50 分类号: G06T5/50;G06T7/33;G06T7/557;G06F17/15;G03B37/02
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 顾潮琪
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 epi 拼接 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种基于EPI的光场拼接装置的光场拼接方法,所述基于EPI的光场拼接装置,包括光场相机、光学平台、电控平移台、运动控制器和计算机,其特征在于:所述的光场相机固定在电控平移台上,且光场相机的镜头光轴与电控平移台的导轨方向垂直;所述的电控平移台安装在光学平台上,电控平移台的导轨和光学平台平行或垂直;所述的计算机通过运动控制器控制光场相机在电控平移台导轨上平移,其特征在于包括下述步骤:

1)在满足相邻光场所采集场景重叠度大于20%的条件下,设定电控平移台平移步进,光场相机平移间隔两次以上采集一次光场数据;

2)提取每个光场数据的EPI图,运用SIFT算法对相邻两光场的EPI图求取匹配点,针对相邻两光场的每一对匹配点设定误差函数,注册过程中相邻光场的注册距离为T时第i对匹配点的误差函数Eregist(T,i)=|k1(T,i)-k0(T,i)|+|k2(T,i)-k0(T,i)|,其中,k0(T,i)为相邻两光场的注册距离为T时EPI图中第i对匹配点所在直线的斜率;k1(T,i)、k2(T,i)为相邻两光场的注册距离为T时,EPI图中第i对匹配点对应EPI线的斜率;将每一相邻两光场的注册距离值下求取的所有的误差函数值求和得到一个总误差值,所有总误差值中的最小值对应的相邻两光场的注册距离为最佳注册距离Topt;根据光场相机双平面的几何关系求得插值区域的高度x=Nview×d,其中Nview为插值区域在角度平面某一坐标方向上的视点个数,d为视差距离值;

3)针对采集到的光场数据集合里的每一对相邻光场,对插值区域的每一个像素点设定误差函数其中D为相邻两光场的重聚焦视差值,EPI1(vi,Lj)、EPI2(vi,Lj)分别为左右两光场EPI中直线Lj上视点vi中的像素点值;设定相邻两光场重聚焦视差的取值范围为其中ks为左光场最左端像素点和右光场最右端像素点所在直线的斜率,km为左光场最右端像素点和右光场最左端像素点所在直线的斜率;设定重聚焦视差步长,使得光场中同一点的EPI线在变化前后的距离小于等于一个像素;在每一重聚焦视差值下对两光场进行重聚焦,并在当前光场重聚焦视差值下计算插值区域内每一个像素点的误差函数值,当像素点的当前误差函数值小于旧的误差函数值时,对当前像素点进行插值,并更新当前像素点的误差函数值;

4)将采集到的所有光场数据的EPI图合成一张EPI图,并渲染出一幅宽视场图像。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711263793.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top