[发明专利]一种晶硅硅片的钝化层处理方法及晶硅太阳能电池

说明书

技术领域

本发明属于太阳能技术领域，特别是涉及一种晶硅硅片的钝化层处理方法及晶硅太阳能电池。

背景技术

目前光伏产业的产品仍然以晶硅太阳能电池为主，行业依然以降低成本和提高效率为主要目标。随着PERC电池量产化的实现和不断推广，高效晶硅太阳能电池在市场中占据着越来越重要的位置。开发出更高效的晶硅太阳能电池就成了目前行业发展必不可少的要素之一。而目前桎梏着晶硅太阳能电池效率进一步提高的关键瓶颈就是钝化水平难以提高，电池的开路电压难以进一步提升。

目前晶硅太阳能电池在发展过程中遇到了种种钝化难题，一般的硅片钝化技术无法满足现阶段电池效率提升的需求。目前加氢钝化技术的钝化水平较优，而现有的钝化技术一般是在绑定了减反层和钝化层的基础上掺杂氢来进行加强钝化，使得钝化层无法灵活地被应用在各种结构的高效晶硅太阳能电池中。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种晶硅硅片的钝化层处理方法，可以对硅片表面的悬挂键进行足够的钝化，降低硅片表面的载流子复合率，增强钝化层的钝化效果，仅需对钝化层进行改性处理，使得改性后的钝化层可以被灵活运用，适应性强且广。

本发明还提供了一种晶硅太阳能电池，与现有技术相比，经过氢处理后的钝化层能够适用于多种结构模式的晶硅太阳能电池中，使得太阳能电池整体和表面得到更好的钝化，能够进一步提高太阳能电池的开路电压，提高太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供的一种晶硅硅片的钝化层处理方法，包括：

在硅基体表面沉积钝化层；

以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理。

优选的，在上述晶硅硅片的钝化层处理方法中，所述以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理为：

以PECVD法产生的含氢等离子体的氢气氛围下对所述钝化层进行注氢处理。

优选的，在上述晶硅硅片的钝化层处理方法中，所述以PECVD法产生的含氢等离子体的氢气氛围下对所述钝化层进行注氢处理的工艺参数为：

氢气流量为5-50sccm、压强为1Torr、处理温度为180-220℃和射频功率20-50W的条件下对所述钝化层进行注氢处理10-180s。

优选的，在上述晶硅硅片的钝化层处理方法中，所述处理温度为200℃。

一种晶硅太阳能电池，包括采用上述任一项钝化层处理方法制备的晶硅硅片。

通过上述描述可知，本发明提供的晶硅硅片的钝化层处理方法，由于包括：在硅基体表面沉积钝化层；以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理。因此可以对硅片表面的悬挂键进行足够的钝化，降低硅片表面的载流子复合率，增强钝化层的钝化效果，仅需对钝化层进行改性处理，使得改性后的钝化层可以被灵活运用，适应性强且广。本发明提供的一种晶硅太阳能电池，与现有技术相比，经过氢处理后的钝化层能够适用于多种结构模式的晶硅太阳能电池中，使得太阳能电池整体和表面得到更好的钝化，能够进一步提高太阳能电池的开路电压，提高太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种晶硅硅片的钝化层处理方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，图1为本申请实施例提供的一种晶硅硅片的钝化层处理方法的流程示意图。

本申请实施例提供的一种晶硅硅片的钝化层处理方法，包括如下步骤：

S1：在硅基体表面沉积钝化层；

S2：以氢气为氢源，对所述钝化层进行改性处理；

本发明的电池结构包括常规单晶、多晶电池，PERC、n型双面电池、IBC电池等多种高效电池结构，其中硅片也包括N型硅片或P型硅片，选用的硅基体可以是单晶、多晶、及类单晶结构，这里需要说明的是，对硅基体的具体结构和种类不做具体限定；因为本发明的硅片钝化层处理方法适用于多种类型的硅基体，适用范围广而且适用性强。