[发明专利]一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料及其应用在审
| 申请号： | 201711262164.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108191897A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张善国;王明佼;胡葆华;林存生;石宇;周勇 | 申请（专利权）人： | 中节能万润股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 烟台智宇知识产权事务所(特殊普通合伙) 37230 | 代理人： | 李增发 |
| 地址： | 264006 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机光电材料 桥联 噻吩结构 空间结构 空穴传输性能 梯形平面结构 导电性 电子亲和性 电子亲合势 分子稳定性 传输能力 传输平衡 发光材料 发光效率 光电材料 效果特性 低电压 发光层 高效率 双极性 中空穴 芳胺 势垒 母体 应用 传输 | ||
1.一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料，其特征在于，该化合物结构式如通式(1)所示：
R1和R2独立选自如下结构基团：
中的一种。；
R3选自异丙基或叔丁基中的一种。
2.根据权利要求1所述一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料，其特征在于所述化合物的具体结构式为：
3.根据权利要求1或2所述的一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料，其特征在于，所述化合物具有如下制备路线：
4.一种有机电致发光器件，其特征在于:所述发光器件使用权利要求1所述的含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料。
5.根据权利要求4所述的一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极，其特征在于，还包括发光层，以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的一种有机电致发光器件，其特征在于：所述发光器件的层结构为：阳极/有机发光层/阴极；阳极/空穴注入层/有机发光层/阴极；阳极/有机发光层/电子注入层/阴极；阳极/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/阴极；阳极/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/阴极；阳极/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/阴极；阳极/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/阴极中的任意一种。
7.根据权利要求5或6中的一种有机发光器件，其特征在于:所述发光层中含有权利要求1含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料。
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