[发明专利]一种应用于升降压电路的电流采样电路及其控制方法有效
申请号: | 201711259934.7 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN107947578B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 龚军勇;张健 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;G01R19/25 |
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地址: | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 升降 压电 电流 采样 电路 及其 控制 方法 | ||
1.一种电源开关电路,包括:
参考地,为电流采样电路提供参考地;
第一MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有源极、漏极和门极,所述漏极用于接收电路的输入电压,所述门极用于接收第一门极驱动信号;
第二MOS管,具有源极、漏极和门极,所述第二MOS管的漏极耦接于第一MOS管的源极,所述第二MOS管的源极耦接于参考地,所述第二MOS管的门极用于接收第二门极驱动信号;
第三MOS管,具有源极、漏极和门极,所述第三MOS管的源极耦接于参考地,所述第三MOS管的门极用于接收第三门极驱动信号;
第四MOS管,具有源极、漏极和门极,所述第四MOS管的源极耦接于所述第三MOS管的漏极,所述第四MOS管的漏极用于输出电路的输出电压,所述第四MOS管的门极用于接收第四门极驱动信号;
电感器,具有第一端和第二端,所述第一端耦接于所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极的共同端点,所述第二端耦接于所述第三MOS管的漏极与所述第四MOS管的源极的共同端点;
电流采样电路,耦接于第一MOS管和第四MOS管,用于采样第一MOS管和第四MOS管上流过的电流,输出代表第一MOS管上流过的电流的第一采样电流和代表第四MOS管上流过的电流的第二采样电流;以及
电流处理电路,耦接于电流采样电路,用于接收第一采样电流和第二采样电流,并根据第一采样电流和第二采样电流产生第三采样电流,所述第三采样电流在一个电路工作周期内的平均值代表电路的输出电流;其中
当电路处于第一工作模式时,利用所述电流处理电路截取第二采样电流作为第三采样电流;当电路处于第二工作模式时,利用所述电流处理电路截取在第四MOS管导通期间的第一采样电流作为第三采样电流;当电路处于第三工作模式时,利用所述电流处理电路截取从第三MOS管关断时刻到第二MOS管开通时刻期间的第一采样电流和从第二MOS管开通时刻到第三MOS管开通时刻期间的第二采样电流作为第三采样电流。
2.如权利要求1所述的电源开关电路,其中:
当电路处于第一工作模式时,第三MOS管保持关断,第四MOS管保持开通,第一MOS管和第二MOS管交替开通和关断;
当电路处于第二工作模式时,第一MOS管保持开通,第二MOS管保持关断,第三MOS管和第四MOS管交替开通和关断;以及
当电路处于第三工作模式时,第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管两两交替开通和关断。
3.如权利要求1所述的电源开关电路,所述电流采样电路还包括:
第一电流采样电路,用于采样第一MOS管上的电流,具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述第一输入端耦接于所述第一MOS管的漏极,所述第二输入端耦接于所述第一MOS管的源极,所述输出端用于输出第一采样电流;以及
第二电流采样电路,用于采样第四MOS管上的电流,具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述第二电流采样电路的第一输入端耦接于所述第四MOS管的源极,所述第二电流采样电路的第二输入端耦接于所述第四MOS管的漏极,所述第二电流采样电路的输出端用于输出第二采样电流。
4.如权利要求3所述的电源开关电路,所述第一电流采样电路还包括:
第五MOS管,具有源极、漏极和门极,所述第五MOS管的漏极耦接于所述第一MOS管的漏极,所述第五MOS管的门极用于接收第一门极驱动信号;
第一采样电阻,具有第一端和第二端,所述第一采样电阻的第一端耦接于所述第五MOS管的源极,所述第一采样电阻的第二端耦接于所述第一MOS管的源极;以及
第一采样信号放大电路,用于接收第一采样电阻两端的电压,并对第一采样电阻两端的电压进行处理并放大,输出第一采样电流。
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