[发明专利]N型电池的正面电极两次印刷方法在审
| 申请号: | 201711259334.0 | 申请日: | 2017-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN109873041A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
| 发明(设计)人: | 顾生刚 | 申请(专利权)人: | 北京市合众创能光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B41M1/26;B41M1/22;B41M1/12 |
| 代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈毅 |
| 地址: | 102200 北京市昌*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶硅太阳能电池 两次印刷 第一层 电池 电极 正面电极 高宽比 线电阻 银铝浆 光电转换效率 印刷技术领域 电极栅线 接触电阻 丝网印刷 银浆印刷 栅线电极 共烧结 受光面 天花板 银电极 烘干 金硅 印刷 | ||
本发明涉及电池印刷技术领域,尤其是N型电池的正面电极两次印刷方法。该方法依次包括以下步骤:(1)采用银铝浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层;(2)将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层烘干;(3)采用银浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第二层;(4)将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层和第二层电极共烧结形成电极。该发明通过两次印刷的方法,第一层银铝浆可以降低金硅接触电阻,第二层银电极可以降低电极的线电阻,同时,两次印刷的方法可以突破单次丝网印刷高宽比的天花板,能有效提高电极栅线的高宽比,既能增加电池的受光面,又能降低栅线电极整体的线电阻,从而大幅提升电池的光电转换效率。
技术领域
本发明涉及电池印刷技术领域,尤其是N型电池的正面电极两次印刷方法。
背景技术
目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而,不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点,具有更大的效率提升空间,同时,N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此,N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。随着电池新技术和工艺的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且N型单晶电池市场份额将会显著增加。
不同于P型电池,N型电池的扩硼面如果采用普通的银浆印刷,其接触电池很难降低,影响了N型电池效率的提升,如果采用银铝浆印刷扩硼面电极,其银铝浆中的铝粉及N型玻璃粉中的三价元素如硼等会在烧结的过程中掺杂进入晶体硅中,能有效降低晶硅表面和金属电极之间的接触电阻。然而,银铝浆中由于金属铝的存在,其线电阻会升高。同时受限于丝网印刷工艺,单次印刷电极的高宽比达到天花板之后很难突破。
发明内容
为了克服现有的晶硅电池的单次印刷会影响电池效率的不足,本发明提供了N型电池的正面电极两次印刷方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种N型电池的正面电极两次印刷方法,该方法依次包括以下步骤:
(1)采用银铝浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层;
(2)将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层烘干;
(3)采用银浆印刷为N型晶硅太阳能电池扩硼面的第二层;
(4)将N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层和第二层电极共烧结形成电极。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述银铝浆为含有银粉、铝粉、有机载体、N型玻璃粉的导电金属浆料。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述银铝浆粘度为180~350 Pa.s。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述银浆为含有银粉、有机载体、玻璃粉、无机添加剂的导电金属浆料。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述银浆粘度为180~350 Pa.s。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述N型晶硅太阳能电池扩硼面的第一层电极的宽度为10~80微米。
根据本发明的另一个实施例,进一步包括所述N型晶硅太阳能电池扩硼面第二层电极的宽度为N型晶硅太阳能电池扩硼面第一层电极宽度的80%~120%,N型晶硅太阳能电池扩硼面第二层电极覆盖N型晶硅太阳能电池扩硼面第一层电极。
本发明的有益效果是,该发明通过两次印刷的方法,在N型晶体硅电池扩硼面先印刷一层银铝浆,以降低金硅接触电阻,之后在第一层电极之上覆盖一层纯银电极,以降低电极的线电阻,同时,两次印刷的方法可以突破单次丝网印刷高宽比的天花板,能有效提高电极栅线的高宽比,既能增加电池的受光面,又能降低栅线电极整体的线电阻,从而大幅提升电池的光电转换效率。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





