[发明专利]扩展LTE B42频段带宽的移动终端及其实现方法

说明书

本发明提供了一种扩展LET B42频段带宽的移动终端及其实现方法，所述移动终端包括：融合1.7‑2.7GHz频段LTE下行三载波技术、4×4多模多频天线设计及256QAM编码技术的射频电路、设置在所述射频电路上的B42发射通路和分别设置在所述射频电路上的接收通路；所述B42发射通路包括：连接所述射频电路上主天线发射端的B42射频功率放大器和B42功率耦合器；所述接收通路包括：分别接入到所述射频电路四个天线上的B42收发滤波器和分频器。本发明所述提供的支持B42频段带宽的移动终端，为基于现有技术的射频电路进行改进得到的，设计简单，且满足了用户更多频段带宽上信息传输的需求。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及的是一种扩展LTE B42频段带宽的移动终端及其实现方法。

背景技术

现有技术中，LTE B1/B2/B3/B4/B7/B30/B66/B39/B41等1.7-2.7GHz频段多模多频终端，通常采用的是高通MSM8998+WTR5975平台芯片，该平台芯片通过LTE下行三载波MIMO(其中双载波4×4MIMO+单载波2×2MIMO)技术及256QAM编码可实现最大LTE CAT16 1Gbps下行数据传输速率，但是上述平台芯片并不支持B42频段的信息传输，不能满足更宽频段信息接收的需要。

因此，现有技术有待于进一步的改进。

发明内容

鉴于上述现有技术中的不足之处，本发明的目的在于为用户提供一种扩展LTEB42频段带宽的移动终端及其实现方法，克服现有技术中移动终端不支持LTE B42频段的缺陷。

本发明提供了的第一实施例为一种扩展LTE B42频段带宽的移动终端，所述移动终端包括：融合1.7-2.7GHz频段LTE下行三载波技术、4×4多模多频天线设计及256QAM编码技术的射频电路、设置在所述射频电路上的B42发射通路和分别设置在所述射频电路上的接收通路；

所述B42发射通路包括：连接所述射频电路上主天线发射端的B42射频功率放大器和B42功率耦合器；

所述接收通路包括：分别接入到所述射频电路四个天线上的B42收发滤波器和分频器。

可选地，所述接收通路包括：接入到所述射频电路主天线电路中的第一接收通路、接入到所述射频电路副天线电路中的第二接收通路、接入到所述射频电路第一MIMO天线电路中的第三接收通路和接入到所述射频电路第二MIMO天线电路中的第四接收通路。

可选地，所述第一接收通路包括：

与所述射频电路主天线的发射端建立连接的第一分频器和第一B42收发滤波器；

所述B42功率耦合器连接在所述第一分频器和第一B42收发滤波器的中间，且所述第一B42收发滤波器与B42射频功率放大器之间连接有第一收发及射频切换开关。

可选地，所述第二接收通路包括：

相互连接的第二分频器和第二B42收发滤波器；所述第二分频器和第二B42收发滤波器与所述射频电路副天线的发射端相连接。

可选地，所述第三接收通路包括：

相互连接的第三分频器和第三B42收发滤波器；所述第三分频器和第三B42收发滤波器与所述射频电路第一MIMO天线的发射端相连接。

可选地，所述第四接收通路包括：

相互连接的第四分频器和第四B42收发滤波器；所述第四分频器和第四B42收发滤波器与所述射频电路第二MIMO天线的发射端相连接。

本发明提供了的第二实施例为：一种移动终端扩展LTE B42频段带宽的实现方法，包括：