[发明专利]一种基板及其制备方法、系统以及显示面板在审
申请号: | 201711257632.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108022829A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 金映秀 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 及其 制备 方法 系统 以及 显示 面板 | ||
1.一种基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一承台,所述承台中设置有磁性吸附单元;
将衬底基板设置于所述承台上;
提供一掩膜板,所述掩膜板向所述衬底基板对齐并贴合设置;
对所述衬底基板进行图案化处理,并且通过所述承台中的所述磁性吸附单元减小所述掩膜板与所述衬底基板之间的距离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述衬底基板进行图案化处理的步骤具体包括:
在所述掩膜板远离所述衬底基板一侧设置一沉积物源,所述沉积物源对应所述掩膜板设置;
所述掩膜板上设置有对应所述衬底基板所需形成的图案化结构的掩膜区域;
所述沉积物源向所述掩膜板传播沉积物,以使所述掩膜区域内沉积所述沉积物,从而形成所述图案化结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述沉积物包括氮硅化合物、硅氧化合物以及六甲基二甲硅醚。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述衬底基板进行图案化处理的步骤之后包括:
形成所述图案化结构之后,重新将所述掩膜板与所述衬底基板对齐并贴合,以在所述衬底基板上多次沉积形成所述图案化结构。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括:所述磁性吸附单元的开启与关闭通过一控制开关控制,在所述掩膜板向所述衬底基板对齐并贴合设置之后,通过所述控制开关开启所述磁性吸附单元,吸引所述掩膜板,使所述掩膜板进一步贴合所述衬底基板,以减小所述掩膜板与所述衬底基板之间的距离;且
在对所述衬底基板进行图案化处理之后,通过所述控制开关关闭所述磁性吸附单元,以使所述掩膜板与所述衬底板分离。
6.一种基板的制备系统,其特征在于,所述系统包括:
承台,所述承台中设置有磁性吸附单元;
衬底基板,所述衬底基板设置于所述承台上;
掩膜板,所述掩膜板设置于所述衬底基板远离所述承台一侧,所述掩膜板与所述衬底基板对齐并贴合设置,以对所述衬底基板进行图案化处理,并且可通过所述承台中的所述磁性吸附单元减小所述掩膜板与所述衬底基板之间的距离。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述掩膜板边缘对应所述衬底基板设置有限位结构,所述掩膜板可通过所述限位结构限制所述掩膜板与所述衬底基板之间的相对位置。
8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述磁性吸附单元为设置于所述承台中的电磁感应线圈,通过一控制开关控制所述磁性吸附单元中的电流流通,以控制所述磁性吸附单元的开启与关闭,进而使所述掩膜板进一步贴合所述衬底基板,以减小所述掩膜板与所述衬底基板之间的距离。
9.一种显示面板基板,其特征在于,所述显示面板基板通过如权利要求1~5任一项所述基板的制备方法制得。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求9所述的显示面板基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711257632.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造