[发明专利]一种采用斜边渐变结构的磁场探头

权利要求书

1.一种采用斜边渐变结构的磁场探头，其特征在于：包括金属环结构、接地过孔、带状线窄柄、带状线宽柄、渐变斜边结构、信号过孔和转接头；

所述的金属环结构位于带状线窄柄的一端，且金属环结构的一个臂直接与带状线窄柄的信号线相连接，另一个臂经过延长线通过接地过孔与带状线窄柄上屏蔽层和带状线窄柄下屏蔽层相连接；

所述的接地过孔目的是将金属环结构和带状线窄柄构成通路,其位于金属环结构的一个臂的延长线的末端,接地过孔与带状线窄柄的上层屏蔽地和带状线窄柄下层屏蔽地直接相连接；

所述的带状线窄柄由带状线窄柄介质、带状线窄柄下屏蔽层和带状线窄柄上屏蔽层组成；带状线窄柄下屏蔽层位于带状线窄柄介质下表面，带状线窄柄上屏蔽层位于带状线窄柄介质上表面；带状线窄柄的另一端与带状线宽柄连接，带状线窄柄的信号线直接与带状线宽柄的信号线相连接，带状线窄柄的下屏蔽层与带状线宽柄的下屏蔽层相连接，带状线窄柄的上屏蔽层和带状线宽柄的上屏蔽层相连接；

所述的带状线宽柄由带状线宽柄介质、带状线窄宽柄下屏蔽层和带状线宽柄上屏蔽层组成；带状线宽柄下屏蔽层位于带状线宽柄介质下表面，带状线宽柄上屏蔽层位于带状线宽柄介质上表面；

所述渐变斜边结构包括渐变斜边结构介质、渐变斜边结构上屏蔽层和渐变斜边结构下屏蔽层组成，渐变斜边结构下屏蔽层位于渐变斜边结构介质的下表面，渐变斜边结构的上屏蔽层位于渐变斜边结构介质的上表面；渐变斜边结构的一个直角边与带状线窄柄相连接，渐变斜边结构的另一个直角边与带状线宽柄相连接，用于减弱连接带状线窄柄和带状线宽柄的结构突变带来的影响；

所述信号过孔和转接头位于带状线宽柄上，信号过孔贯穿带状线宽柄介质与带状线宽柄的信号线相连接，信号过孔与带状线宽柄上屏蔽层和带状线宽柄下屏蔽层相隔离，防止短路；转接头通过信号过孔固定在带状线宽柄上，将探头测试到的信号传输给测试设备。

2.根据权利要求1所述的一种采用斜边渐变结构的磁场探头，其特征在于：所述金属环结构为类似于“U”型结构形式，左右两个臂位于带状线窄柄介质中以提高探头强度。

3.根据权利要求1所述的一种采用斜边渐变结构的磁场探头，其特征在于：所述接地过孔的形式为金属通孔。

4.根据权利要求1所述的一种采用斜边渐变结构的磁场探头，其特征在于：所述渐变斜边结构整体俯视图为直角三角形。