[发明专利]一种上电复位自关断电路

权利要求书

1.一种上电复位自关断电路，其特征在于，包括上电复位信号产生电路(201)、上电复位信号锁存电路(202)和电源关断电路(203)，

所述上电复位信号产生电路(201)产生阶跃信号并传输给所述上电复位信号锁存电路(202)，所述上电复位信号锁存电路(202)将所述阶跃信号锁存并产生上电复位信号(POR)和电源关断控制信号(PWD)，电源关断电路(203)根据所述电源关断控制信号(PWD)和上电复位信号(POR)在上电完成后关断所述上电复位信号产生电路(201)；

所述上电复位信号锁存电路(202)包括第四NMOS管(NM4)、第四PMOS管(PM4)、与非门(NAND)、电容(C)、D触发器(DFF1)和第二反相器(INV2)，

与非门(NAND)的第一输入端连接D触发器(DFF1)的复位端并作为所述上电复位信号锁存电路(202)的输入端，其第二输入端连接D触发器(DFF1)的非Q输出端，其输出端连接第四NMOS管(NM4)的栅极；

第四PMOS管(PM4)的栅极作为所述上电复位信号锁存电路(202)的控制端，其漏极连接第四NMOS管(NM4)的漏极和D触发器(DFF1)的时钟端(CLK)并通过电容(C)后接地，其源极连接D触发器(DFF1)的D输入端并连接电源电压；

第二反相器(INV2)的输入端连接D触发器(DFF1)的Q输出端并输出上电复位信号(POR)，其输出端输出电源关断控制信号(PWD)，第四NMOS管(NM4)的源极接地。

2.根据权利要求1所述的上电复位自关断电路，其特征在于，所述上电复位信号产生电路(201)包括第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第三NMOS管(NM3)、第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第三PMOS管(PM3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一反相器(INV1)，

第一PMOS管(PM1)的栅极连接第二PMOS管(PM2)的栅极和漏极、第一NMOS管(NM1)的漏极、第三PMOS管(PM3)的栅极以及所述上电复位信号锁存电路(202)的控制端，其源极连接第二PMOS管(PM2)和第三PMOS管(PM3)的源极并连接电源电压，其漏极通过第一电阻(R1)后接电源电压；

第二NMOS管(NM2)的栅极连接第一NMOS管(NM1)的源极和第三NMOS管(NM3)的栅极并通过第二电阻(R2)后接地，其漏极连接第一NMOS管(NM1)的栅极，其源极连接第三NMOS管(NM3)的源极并接地；

第一反相器(INV1)的输入端连接第三PMOS管(PM3)和第三NMOS管(NM3)的漏极，其输出端作为所述上电复位信号产生电路(201)的输出端连接所述上电复位信号锁存电路(202)的输入端。

3.根据权利要求2所述的上电复位自关断电路，其特征在于，所述电源关断电路(203)包括第五PMOS管(PM5)和第六PMOS管(PM6)，

第五PMOS管(PM5)的栅极连接所述电源关断控制信号(PWD)，其漏极连接所述上电复位信号产生电路(201)中第三PMOS管(PM3)的栅极，其源极连接电源电压；

第六PMOS管(PM6)的栅极连接所述上电复位信号(POR)，其源极连接所述上电复位信号产生电路(201)中第一PMOS管(PM1)的漏极，其漏极连接所述上电复位信号产生电路(201)中第一NMOS管(NM1)的栅极。

4.根据权利要求2所述的上电复位自关断电路，其特征在于，所述第一反相器(INV1)为施密特反相器。