[发明专利]抛光垫修整方法及包含其的化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种抛光垫修整方法，其特征在于，沿抛光垫的径向方向，修整器在所述抛光垫的边缘和所述抛光垫的中心之间做往复运动对所述抛光垫进行修整；

沿抛光垫的径向方向，所述抛光垫从边缘至中心依次划分第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域，修整器依次在第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域内的相对修整时间先逐渐降低再逐渐升高；相应地，修整器依次在第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域内的下压压力先逐渐增大再逐渐降低；

其中，N≥3；

所述修整器在第一修整区域内的相对修整时间为3～6，修整器的下压压力为3～7lbf；

所述修整器在第N修整区域内的相对修整时间为2～4，修整器的下压压力为4～7.5lbf；

所述修整器在第二修整区域至第N-1修整区域内的相对修整时间独立地为1～3，修整器的下压压力独立地为5～10lbf。

2.根据权利要求1所述的抛光垫修整方法，其特征在于，N的取值范围为5～20。

3.根据权利要求2所述的抛光垫修整方法，其特征在于，N的取值范围为6～17。

4.根据权利要求2所述的抛光垫修整方法，其特征在于，N的取值范围为7～15。

5.根据权利要求1所述的抛光垫修整方法，其特征在于，修整器的转速为30～80rpm/s。

6.根据权利要求5所述的抛光垫修整方法，其特征在于，修整器的修整频率为3～12次/min。

7.一种化学机械抛光方法，其特征在于，在进行抛光的同时，用权利要求1-6任一项所述的抛光垫修整方法对抛光垫进行修整。

8.根据权利要求7所述的化学机械抛光方法，其特征在于，抛光过程中包括用倾斜去离子水射流对抛光垫进行清洗的步骤。

9.根据权利要求8所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流的流速为100～500ml/min。

10.根据权利要求9所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流的流速为150～450ml/min。

11.根据权利要求9所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流的流速为200～400ml/min。

12.根据权利要求8-11任一项所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流与所述抛光垫的夹角为15～45°。

13.根据权利要求12所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流与所述抛光垫的夹角为20～40°。

14.根据权利要求12所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述倾斜去离子水射流与所述抛光垫的夹角为20～35°。

15.根据权利要求7所述的化学机械抛光方法，其特征在于，抛光过程中包括用垂直去离子水射流对抛光垫进行清洗的步骤。

16.根据权利要求15所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述垂直去离子水射流的流速为100～300ml/min。

17.根据权利要求7-11、13-16任一项所述的化学机械抛光方法，其特征在于，抛光过程中所用抛光液的流速为80～250ml/min。