[发明专利]一种超致密高导热硅砖及其制备方法有效
申请号: | 201711253598.5 | 申请日: | 2017-12-02 |
公开(公告)号: | CN107867868B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 张敦明;张敦新;张哲;李珺琪 | 申请(专利权)人: | 山东鲁桥新材料股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/14;C04B35/63;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人: | 蔡士超 |
地址: | 255200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 致密 导热 硅砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种超致密高导热硅砖,其特征在于:质量百分比组成包括SiO295%~96%、Al2O30.7%~1.0%、Fe2O30.6%~0.8%、CaO2.1%~2.5%、残余石英0.4%~0.5%,原料重量份组成包括粒径1mm~4mm高纯熔融硅砂 32~33份、粒径0.3~1mm高纯熔融硅砂18~19份、粒径200目高纯熔融硅砂35~37份、硅胶粘结剂3~3.5份、石英粉2.8~3.2份、磷酸1.9~2.1份、高温粘结剂6.5~7.8份;
制备步骤包括配料、混炼、液压成型、干燥、烧制;
所述的干燥步骤中干燥制度为出车端温度80℃~100℃,进车端温度:35℃~50℃;推车速度为1.5~2.0h/车,干燥后残余水分小于1.5%;
所述的烧制步骤中的烧成制度为:室温升温至195℃~205℃,升温速率为27℃/h ~33℃/h,在195℃~205℃首次保温7.5h ~8.5h,然后继续升温至995℃~1008℃,升温速率为25℃/h ~35℃/h,在995℃~1008℃二次保温4 h ~5 h。
2.根据权利要求1所述的一种超致密高导热硅砖,其特征在于:硅砖的显气孔率为16%~19%,体积密度为1.9 g/cm3~2.1g/cm3,室温~1000 ℃的热膨胀率为1.2%~1.25%,1100 ℃时的导热系数为2.3 W/m.k ~2.6W/m.k。
3.根据权利要求1所述的一种超致密高导热硅砖,其特征在于:所述的液压成型采用1250吨液压成型机压制。
4.根据权利要求1所述的一种超致密高导热硅砖,其特征在于:所述的烧制步骤中的烧成制度中首次保温的温度为200℃,保温时间为8h。
5.根据权利要求1所述的一种超致密高导热硅砖,其特征在于:所述的烧制步骤中的烧成制度中二次保温的温度为998℃,保温时间为4h。
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