[发明专利]一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法在审
| 申请号： | 201711253392.2 | 申请日： | 2017-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109868493A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 简佩;雷巧林;畅玢;韩玉成;曹文苑;彭泽椿;邓林 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C25D5/10;C25D7/00 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 熔断器 混合酸溶液 基体结合力 陶瓷基片 硝酸 背电极 镀铜层 熔断体 裂片 盐酸 清洗 制作 绝缘层 陶瓷基片正面 熔断 印刷 玻璃浆料 电镀铜层 电镜扫描 去离子水 包封层 基体铜 结合力 离子水 前处理 质量比 电镀 包封 三层 分析 | ||
1.一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)前处理：使用混合酸溶液对陶瓷基片进行清洗，所述混合酸溶液由去离子水、硝酸以及盐酸混合而成，所述离子水、硝酸以及盐酸的质量比为65：30：5，清洗时间2～4分钟；
(2)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后烧结；
(3)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后烧结；
(4)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，然后烧结；
(5)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结；
(6)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；
(7)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；
(8)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀铜、镀锡，保证铜层厚度为3～12μm、锡层厚度为5～18μm。
2.如权利要求1所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，所述背电极制作时，陶瓷基片背面印刷背电极之后，在880℃～920℃温度下烧结。
3.如权利要求1所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，所述绝缘层制作时，在920℃～935℃的高温下烧结38分钟～45分钟。
4.如权利要求1所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，所述熔断体制作时，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃～825℃温度下烧结25分钟～35分钟。
5.如权利要求1所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，所述制作包封层时，烧结温度为550℃～570℃，烧结时间为40分钟～45分钟。
6.如权利要求1所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，其特征在于，所述盐酸的质量浓度为45％，所述硝酸的质量浓度为65％。
7.一种由权利要求1～6任意所述的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法制备得到的熔断器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团云科电子有限公司，未经中国振华集团云科电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711253392.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无氰碱铜电镀液及其制备方法
- 下一篇：一种全自动铝活塞硬质阳极氧化系统
