[发明专利]一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片在审
| 申请号： | 201711251086.5 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109872740A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;俞华樑 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考单元 对称阵列 读/写控制电路 芯片 列地址解码器 面积使用率 解码器 对称分布 控制电路 行地址 多行 良率 参考 占据 | ||
1.一种使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述对称阵列参考单元包括读/写控制电路、行地址解码器以及对称分布于所述读/写控制电路两侧的第一MRAM块和第二MRAM块；
所述第一MRAM块和所述第二MRAM块均包括列地址解码器和MRAM阵列，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共用所述读/写控制电路；每一个所述MRAM阵列有一行或多行参考单元，每一行所述参考单元中有一个或多个参考字，进行读操作时，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块使用对面MRAM块中的所述参考字。
2.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述参考单元行位于靠近所述MRAM阵列中间的位置。
3.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM芯片进行读操作时，所述行地址解码器打开被读行，所述第一MRAM块或所述第二MRAM块的列地址解码器选择被读字；同时对面的所述第二MRAM块或所述第一MRAM块的行地址解码器打开参考行，所述第一MRAM块或所述第二MRAM块的列地址解码器选择所述参考行的一个参考字作为参考单元，进行读操作。
4.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述多个参考字通过产线测试，选择可用的参考字。
5.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述第一MRAM块和所述第二MRAM块共享所述列地址解码器。
6.如权利要求5所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述MRAM阵列有多于一行参考单元作为备份，通过产线测试选择所述参考单元可用的参考单字。
7.如权利要求1所述的使用对称阵列参考单元的MRAM芯片，其特征在于，所述第一MRAM块的MRAM阵列和所述第二MRAM块的MRAM阵列行数不超过256。
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