[发明专利]半导体装置及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备在俯视中以彼此重叠的方式配置的高电位侧模块部分与低电位侧模块部分，

在该半导体装置中，

所述高电位侧模块部分包含：高电位侧半导体芯片、高电位侧集成电路、以及载置所述高电位侧半导体芯片的高电位侧引线框架，

所述低电位侧模块部分包含：低电位侧半导体芯片、低电位侧集成电路、以及载置所述低电位侧半导体芯片的低电位侧引线框架，

该半导体装置还具备跨越所述高电位侧模块部分和所述低电位侧模块部分且载置所述高电位侧集成电路及所述低电位侧集成电路的控制侧框架，

所述高电位侧集成电路及所述低电位侧集成电路载置于所述控制侧框架的一个主表面之上，

所述控制侧框架在所述高电位侧模块部分和所述低电位侧模块部分的边界，以所述高电位侧半导体芯片和所述低电位侧半导体芯片彼此相对的方式弯折。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

从所述低电位侧引线框架延伸出凸起部，该凸起部能够与在所述高电位侧引线框架载置的所述高电位侧半导体芯片电连接、且在所述低电位侧引线框架的厚度方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述低电位侧引线框架和所述凸起部是一体的。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述低电位侧引线框架和所述凸起部是分体的。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述高电位侧半导体芯片和所述高电位侧引线框架通过第1接合材料进行接合，

所述高电位侧半导体芯片和所述凸起部通过第2接合材料进行接合，

所述第2接合材料比所述第1接合材料的熔点低。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

在所述高电位侧引线框架的与供所述高电位侧半导体芯片接合的第1主表面相反侧的第2主表面之上、以及所述低电位侧引线框架的与供所述低电位侧半导体芯片接合的第3主表面相反侧的第4主表面之上载置散热器。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2主表面之上的所述散热器和所述第4主表面之上的所述散热器接合为一体。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述高电位侧半导体芯片及所述低电位侧半导体芯片各自具有开关元件和续流用二极管，

作为所述高电位侧半导体芯片的所述开关元件与所述续流用二极管通过键合线进行连接，

作为所述低电位侧半导体芯片的所述开关元件与所述续流用二极管通过键合线进行连接。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述高电位侧模块部分包含高电位侧端子，

所述低电位侧模块部分包含低电位侧端子，

所述高电位侧端子和所述低电位侧端子以彼此相邻的方式配置。

10.一种电力变换装置，其具备：

主变换电路，其具有权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入来的电力进行变换而输出；以及

控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。