[发明专利]利用双基片台MPCVD装置将人体头发作为碳源生长单晶金刚石的方法有效
| 申请号： | 201711250553.2 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107937980B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 马志斌;耿传文 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/04;C23C16/27;C23C16/448 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 人体头发 反应装置 衬底 基片台 上基片 头发 刻蚀 心孔 生长 微波等离子体化学气相沉积 等离子体 微波等离子体 传送装置 调节装置 合成单晶 激光切除 金刚石 氢气 凹槽处 下基片 单晶 制备 伸出 体内 | ||
1.一种利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于，包含如下步骤：
第一步，准备双基片台MPCVD反应装置，单晶金刚石衬底，以及洁净干燥的人体头发；
第二步，将头发绑成头发束，并通过传送装置置于上基片台中心圆孔内，单晶金刚石衬底置于下基片台凹槽内；
第三步，将氢气通入双基片台MPCVD反应装置的反应腔中，利用微波激发气体放电产生等离子体，调节沉积装置的工艺参数，通过传送装置使头发伸入等离子体中并被刻蚀，产生的碳源气体进行单晶金刚石的生长；
第四步，利用激光切除单晶衬底，得到由人体头发为碳源制备的单晶金刚石。
2.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，上基片台中心有直径为2～3mm的穿孔，下基片台有放置单晶金刚石的凹槽。
3.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，单晶金刚石衬底可以是天然金刚石，也可是CVD金刚石或HPHT金刚石作为衬底。
4.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第一步所述的双基片台MPCVD反应装置中，头发的洁净度在SCP4级以上。
5.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第二步中所述头发束的直径为1.0～2.5mm。
6.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第三步中所述下基片台温度在750～1050℃，上基片台温度在150～200℃。
7.如权利要求1所述的利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，其特征在于：第三步中所述通过传送装置使头发以0.06～0.30m/h的速度伸入等离子体中并被刻蚀。
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