[发明专利]一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)n型硅片的清洗；

(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；

(3)n型硅片表面的钝化处理；

(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；

(5)正面电极的制备；

(6)背面电极的制备。

2.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中n型硅片的清洗包括：将n型硅片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。

3.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中利用金属催化化学腐蚀法在n型硅片表面制备硅纳米线阵列。

4.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(3)中n型硅片表面的钝化处理包括：对n型硅片进行甲基化处理，形成Si-CH₃键以钝化硅表面。

5.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述PEDOT:PSS溶液的浓度为5-10mg/ml，所述硅钨酸溶液的浓度为0.05-0.4mg/ml，旋涂PEDOT:PSS溶液的转速为3000-4000转/每分钟，旋涂PEDOT:PSS溶液的时间为1-3分钟，旋涂硅钨酸溶液的转速为4000-5000转/每分钟，旋涂硅钨酸溶液的时间为3-5分钟。

6.根据权利要求5所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述第一次退火处理的温度100-110℃，所述第一次退火处理的时间为5-10分钟，所述第二次退火处理的温度为110-120℃，所述第二次退火处理的时间为20-30分钟。

7.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，通过PVD法形成所述正面电极，所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。

8.根据权利要求1所述的硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中通过PVD法形成所述背面电极，所述背面电极的材质为铝，所述背面电极的厚度为100-400纳米。

9.一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池，其特征在于，所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池为采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的硅纳米线阵列异质结太阳能电池。