[发明专利]一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)n型硅基底的清洗；

(2)n型硅基底的表面钝化处理；

(3)Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤(2)得到的n型硅基底的正面旋涂含有二硒化锆纳米片、二硒化钽纳米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液，旋涂的转速为2000-3000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述Spiro-OMeTAD层；

(4)Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层的制备：在所述Spiro-OMeTAD层表面依次旋涂含有二硒化锆纳米片、二硒化钽纳米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液以及PEDOT:PSS溶液，旋涂的速度均为3500-4000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层；

(5)PEDOT:PSS层的制备：在所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层表面旋涂PEDOT：PSS溶液，旋涂的速度为2000-2500转/分钟，然后进行退火处理，形成所述PEDOT:PSS层；

(6)正面电极的制备；

(7)背面电极的制备；

其中，所述步骤(3)和(4)中的所述混合溶液中二硒化锆纳米片的浓度为0.1-0.5mg/ml，二硒化钽纳米片纳米片的浓度为0.1-0.5mg/ml，Spiro-OMeTAD的浓度为10-15mg/ml，所述步骤(4)和(5)中的所述PEDOT:PSS溶液中PEDOT:PSS的浓度为8-12mg/ml；其中，所述步骤(3)中的退火处理的退火温度为100-110℃以及退火时间为10-20分钟；所述步骤(4)中的退火处理的退火温度为90-100℃，退火时间5-10分钟；所述步骤(5)中的退火处理的退火温度为110-120℃，退火时间10-20分钟。

2.根据权利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(1)中n型硅基底的清洗包括：将n型硅基底依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行超声清洗，然后用氮气吹干备用。

3.根据权利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中n型硅基底的表面钝化处理包括：对n型硅基底进行甲基化处理，形成Si-CH3键以钝化硅表面。

4.根据权利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(6)中的所述正面电极为银栅电极，所述正面电极的厚度为100-150纳米。

5.根据权利要求1所述的硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤(7)中的所述背面电极为铝电极，所述背面电极的厚度为200-300纳米。

6.一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池，其特征在于，所述硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池为采用权利要求1-5任一项所述的方法制备形成的硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池。