[发明专利]存储电路和操作存储电路的方法

说明书

公开了一种存储电路和操作存储电路的方法。在各种实施例中，提供了一种存储电路。存储电路可以包括：沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；多个字线，每个字线与多个存储单元的多个字部耦接，其中每个字部被配置成存储数据字；以及与多个重叠部耦接的至少一个重叠字线，每个重叠部包括多个重叠存储单元，其中多个重叠部中的每一个包括重叠字，其中存储电路被配置成：针对多个字线中的每一个，从每个字部与多个重叠部中的一个重叠部同时进行读取，从而提供对数据字和重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。

技术领域

各种实施例总体上涉及存储电路和操作存储电路的方法。

背景技术

在基本的典型布置中，存储单元可以以矩阵方式布置，其中，在一个方向上，存储单元可以连接至公共字线，而在正交方向上它们可以连接至公共位线。更多的层级可以基于这种布置，但在本文中这可能是不相关的。

通常，“擦除”操作可以影响连接至至少一个字线的所有存储单元，从而将它们全部设置为限定未写入状态的值，例如为“1”；“写入”操作可以影响连接至一个字线的一些存储单元，从而将它们设置为限定写入状态的值，例如为“0”，其中，可以通过位线来选择要写入的特定存储单元；并且“读取”操作可以读取连接至一个字线的一些存储单元，从而产生由“1”和“0”组成的数据，其中，可以通过位线来选择要读取的特定存储单元。

对于所有这些操作，地址可以定义哪个字线和(擦除操作除外)哪些位线将被操作。

对于高度安全的存储器的操作，可能必要的是，即使在对芯片进行物理访问的攻击者的情况下，仍能够可靠地验证对预期的存储单元执行或实际上已经执行了如擦除、写入和读取的存储器操作。

如果必须假设攻击者不仅能够操纵擦除、写入和/或读取操作，而且还能够操纵验证操作本身，则这可能是难以实现的。

目前可以通过使用地址相关数据加密来部分地实现该目的。但是，并非所有相关情况都可以被此覆盖。

发明内容

在各种实施例中，提供了一种存储电路。存储电路可以包括：沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；多个字线，每个字线与多个存储单元的多个字部耦接，其中每个字部被配置成存储数据字；以及与多个重叠(overlay)部耦接的至少一个重叠字线，每个重叠部包括多个重叠存储单元，其中多个重叠部中的每一个包括重叠字，其中存储电路被配置成：针对多个字线中的每一个，从每个字部与多个重叠部中的一个重叠部同时进行读取，从而提供对数据字和重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。

附图说明

在附图中，相同的附图标记通常在所有不同的视图中指代相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是通常重点说明本发明的原理。在下面的描述中，参考以下附图来描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1A和1B示出了根据各种实施例的存储电路的示意图；

图2示出了根据各种实施例的操作存储电路的方法的图示；

图3示出了根据各种实施例的在存储电路中和在操作存储电路的方法中使用的示例性重叠字线数据；

图4示出了根据各种实施例的操作存储电路的方法的流程图；

图5示出了根据各种实施例的操作存储电路的方法的图示；以及

图6示出了根据各种实施例的操作存储电路的方法的流程图。

具体实施方式

以下详细描述参考附图，附图以说明的方式示出了可以实践本发明的特定细节和实施例。

词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定被解释为比其它实施例或设计更为优选或更有利。