[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统

说明书

提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。

背景技术

以往，已知一种方法：在利用液体对作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆。)等的表面进行处理之后的干燥工序中，通过使由于液体而表面湿润的状态的晶圆与超临界流体接触来使晶圆干燥(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在以往的使用超临界流体的干燥方法中，在对多个晶圆反复进行干燥时可能会有大量微粒附着于晶圆。而且，可能会由于所附着的大量微粒而导致晶圆的成品率下降。

实施方式的一个方式是鉴于上述情形而完成的，其目的在于提供一种在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下能够抑制大量微粒附着于晶圆的基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使所述基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，该基板处理装置的清洗方法包括清洗用气体填充工序和排气工序。在所述清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于所述基板处理装置的内部。在所述排气工序中，在所述清洗用气体填充工序之后，将所述清洗用气体从所述基板处理装置的内部排出。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，能够抑制大量微粒附着于晶圆。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的清洗处理的概要的图。

图2是表示基板处理系统的概要结构的示意图。

图3是表示清洗处理单元的结构的截面图。

图4是表示干燥处理单元的结构的外观立体图。

图5是表示干燥处理单元的系统整体的结构例的图。

图6是表示控制部的功能结构的框图。

图7是用于说明IPA的干燥机理的图，是将晶圆所具有的图案简化地示出的放大截面图。

图8A是表示实施方式所涉及的清洗用液体搬入处理的概要的图。

图8B是表示实施方式所涉及的清洗用液体汽化处理的概要的图。

图8C是表示实施方式所涉及的排气处理的概要的图。

图9A是表示实施方式所涉及的夹具的一例的立体图。

图9B是图9A的A-A线截面图。

图9C是表示实施方式所涉及的夹具的其它例的截面图。

图10是表示实施方式所涉及的基板处理装置的清洗处理中的处理过程的流程图。

图11A是表示实施方式的变形例1所涉及的清洗用气体注入处理的概要的图。