[发明专利]纳米金属氧化物光致产生活性氧物种的预测方法有效

专利信息
申请号: 201711247991.3 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108021784B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 李雪花;张丽丽;姚烘烨;陈景文 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: G16C20/30 分类号: G16C20/30;G16C20/20
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 温福雪;侯明远
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 纳米 金属 氧化物 产生 活性氧 物种 预测 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米金属氧化物光致产生活性氧物种的预测方法,其特征在于,步骤如下:

首先,构建金属氧化物的原胞结构,优化原胞结构,计算金属氧化物的能带参数;

构建金属氧化物的原胞结构,再对原胞结构进行几何优化;几何优化后,对比原胞结构的晶格常数计算值与实验值,将相对误差控制在5%以内;采用杂化泛函计算金属氧化物的能带参数;

计算能隙值与实验能隙值拟合结果如下:

Eg(Exp.)=1.189Eg(Cal.)+0.005,r2=0.954(1)

其中,Eg(Exp.)代表实验能隙值,Eg(Cal.)代表计算能隙值;将金属氧化物的计算能隙值代入拟合关系式(1)进行进一步校正;

根据公式(2)计算出金属氧化物的导带底EC和价带顶EV

其中,EC代表导带底,EV代表价带顶,χoxide代表金属氧化物的电负性,PZZP代表金属氧化物的Zeta电位;

其次,利用Brus公式,建立纳米金属氧化物Eg(R)、EC(R)、EV(R)与粒径R的定量关系:

Eg(R)为纳米颗粒的能隙值,eV;

EC(R)为纳米颗粒的导带底,eV;

EV(R)为纳米颗粒的价带顶,eV;

R为纳米颗粒半径,nm;

Eg(R=∞)为体相材料的能隙值,eV;

EC(R=∞)为体相材料的导带底,eV;

EV(R=∞)为体相材料的价带顶,eV;

h为普朗克常数,6.62606896×10-34J·s;

为纳米颗粒的折合质量,和分别为电子和空穴的有效质量;

中,约化普朗克常量,为导带底处的二阶导数;

中,为价带顶处的二阶导数;

最后,以绝对真空电极作为参比,通过比较能带参数与生成活性氧物种所需的氧化还原电位,预测纳米金属氧化物在水相中光致产生活性氧物种的种类;在水溶液中:(i)溶解氧/超氧阴离子电对O2/O2·-的氧化还原电位是-4.30eV,当纳米金属氧化物光生电子的电位大于-4.30eV时,体系将O2还原为O2·-;(ii)水/过氧化氢电对H2O/H2O2的氧化还原电位是-6.28eV,当纳米金属氧化物光生空穴的电位小于-6.28eV时,体系将H2O氧化为H2O2;(iii)水/羟基自由基电对H2O/·OH的氧化还原电位是-7.04eV,氢氧根离子/羟基自由基电对OH-/·OH的氧化还原电位是-7.35eV,当纳米金属氧化物光生空穴的电位小于-7.04eV和-7.35eV时,体系分别将H2O氧化为·OH,将OH-氧化为·OH;(iiii)单线态氧/溶解氧电对1O2/O2的氧化还原电位是-6.70eV,单线态氧/超氧阴离子电对1O2/O2·-的氧化还原电位是-5.47eV,说明纳米金属氧化物光生空穴的电位小于-6.70eV和-5.47eV时,体系中分别将O2氧化为1O2,将O2·-氧化为1O2;此外,当纳米金属氧化物的Eg大于0.97eV时,纳米金属氧化物也产生1O2;基于以上的判断标准,结合Brus公式建立的能带参数与粒径的关系,即预测不同晶型、不同粒径纳米金属氧化物在水相中光致产生活性氧物种的种类。

2.根据权利要求1所述的一种纳米金属氧化物光致产生活性氧物种的预测方法,其特征在于,所述的纳米金属氧化物包括不同晶型的二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、氧化亚铜、二氧化锗、氧化镧、氧化镁、氧化锡、氧化锌及氧化锆等半导体纳米金属氧化物。

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