[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底包括具有用于感测辐射的辐射传感结构的感测区以及不用于感测辐射的外围区；

在所述衬底上形成一个或多个电介质层；以及

形成感测区接触件，所述感测区接触件穿过所述一个或多个电介质层到达所述感测区，并且所述感测区接触件的至少下部由非金属导电材料构成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成外围区接触件，所述外围区接触件穿过所述一个或多个电介质层到达所述外围区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成感测区接触件和外围区接触件包括：

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述感测区的感测区通孔；

在所述感测区通孔中形成非金属导电接触件；

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述外围区的外围区通孔；以及

在所述外围区通孔中形成所述外围区接触件。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，至少在形成所述感测区接触件的下部之后，形成所述外围区接触件。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成感测区接触件和外围区接触件包括：

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述感测区的感测区通孔；

在所述感测区通孔中形成非金属导电接触件；

去除所述非金属导电接触件的上部，以暴露所述感测区通孔的上部；

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述外围区的外围区通孔；以及

在所述感测区通孔的上部和所述外围区通孔中形成接触件，以分别构成所述感测区接触件的上部和所述外围区接触件。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述外围区接触件之后，形成所述感测区接触件。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成外围区接触件和感测区接触件包括：

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述外围区的外围区通孔；

在所述外围区通孔中形成外围区接触件；

形成穿过所述一个或多个电介质层到达所述感测区的感测区通孔；

在所述感测区通孔中形成非金属导电接触件；

去除所述非金属导电接触件的上部，以暴露所述感测区通孔的上部；以及

在所述感测区通孔的上部中形成感测区接触件的上部。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个电介质层包括能够阻止金属扩散穿过该层的材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个电介质层包括氮化硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述感测区接触件的下部包括多晶硅。