[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法

权利要求书

1.一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其特征在于，所述方法包括：

使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；

测量所述半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及

基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，

其中基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：

通过所述吸收光谱计算出第二吸光度比值；以及

基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第二吸光度比值为所述吸收光谱中S₂₂区中的吸光度最大值与所述S₂₂区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值，或所述吸收光谱中S₁₁区中的吸光度最大值与所述S₁₁区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值，

其中所述基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤还包括：

通过所述吸收光谱计算出第一吸光度比值；以及

基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第一吸光度比值为所述吸收光谱中S₂₂区中的吸光度最大值或S₁₁区中的吸光度最大值与M₁₁区中的吸光度最小值之间的比值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液的步骤包括：

将所述半导体性单壁碳纳米管样品溶解在水或有机溶剂中，以形成所述半导体性单壁碳纳米管溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：

基于预先确定的所述第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，确定出与所述第一吸光度比值相对应的所述半导体性单壁碳纳米管的纯度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法还包括：建立第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，以及

所述基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：根据所述对应关系，确定出与所述第一吸光度比值对应的半导体性单壁碳纳米管的纯度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述建立第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系的步骤包括：

使用多个半导体性单壁碳纳米管样品形成多个半导体性单壁碳纳米管溶液，所述多个半导体性单壁碳纳米管样品具有不同的纯度；

测量所述多个半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱，以确定出多个第一吸光度比值；以及

基于所述多个第一吸光度比值与所述多个半导体性单壁碳纳米管样品的不同的纯度建立所述对应关系。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：

基于预先确定的所述第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，确定出与所述第二吸光度比值相对应的所述半导体性单壁碳纳米管的纯度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法包括：建立第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，以及

所述基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：根据所述对应关系，确定出与所述第二吸光度比值对应的半导体性单壁碳纳米管的纯度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述建立第二吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系的步骤包括：

使用多个半导体性单壁碳纳米管样品形成多个半导体性单壁碳纳米管溶液，所述多个半导体性单壁碳纳米管样品具有不同的纯度；

测量所述多个半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱，以确定出多个第二吸光度比值；以及

基于所述多个第二吸光度比值与所述多个半导体性单壁碳纳米管样品的不同的纯度建立所述对应关系。