[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括器件单元区域、位于所述器件单元区域外围的外围单元区域，以及位于所述器件单元区域与所述外围单元区域之间的过渡结构，所述器件单元区域内形成有第一浅沟槽隔离结构，以在所述器件单元区域内隔离出若干个第一有源区；所述外围单元区域内形成有第二浅沟槽隔离结构，以在所述外围单元区域内隔离出若干个第二有源区；

2)于所述器件单元区域的上表面形成阻挡层，包括步骤：

2-1)于所述器件单元区域、所述外围单元区域和所述过渡结构的上表面形成所述阻挡层；

2-2)于所述阻挡层上涂布抗蚀剂；

2-3)去除所述外围单元区域和所述过渡结构上表面的所述抗蚀剂和所述阻挡层；

3)在所述阻挡层的保护作用下将步骤2)得到的结构进行半导体氧化处理，以于所述外围单元区域和所述过渡结构的上表面形成栅氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：位于所述外围单元区域内的所述第二浅沟槽隔离结构的横向尺寸大于位于所述器件单元区域内的所述第一浅沟槽隔离结构的横向尺寸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述器件单元区域的工艺容限小于所述外围单元区域的工艺容限。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：步骤2)中形成的所述阻挡层包括氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：步骤2)中形成的所述阻挡层包括氧化层及氮化硅层，其中，所述氧化层位于所述器件单元区域的上表面，所述氮化硅层位于所述氧化层的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：步骤3)中，形成所述栅氧化层的方法包括热氧化法。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：步骤3)之后，还包括去除所述阻挡层的步骤。

8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括器件单元区域、位于所述器件单元区域外围的外围单元区域和位于所述器件单元区域与所述外围单元区域之间的过渡结构；

第一浅沟槽隔离结构，位于所述器件单元区域内，并在所述器件单元区域内隔离出若干个第一有源区；其中，所述第一有源区与所述第一浅沟槽隔离结构完全相邻接；

第二浅沟槽隔离结构，位于所述外围单元区域，并在所述外围单元区域内隔离出若干个第二有源区；其中，所述第二有源区与所述第二浅沟槽隔离结构完全相邻接；及，

栅氧化层，位于所述外围单元区域和所述过渡结构的上表面，所述栅氧化层由所述半导体衬底的半导体材质氧化形成，所述半导体结构还包括氧化区域，所述氧化区域位于所述外围单元区域内，且位于所述第二浅沟槽隔离结构上部外围，所述氧化区域是在用热氧化法在所述外围单元区域的上表面形成所述栅氧化层的过程中形成，所述氧化区域与所述第二浅沟槽隔离结构相连接，所述氧化区域不形成于所述器件单元区域内。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述第一有源区截面的形状包括梯形。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：位于所述外围单元区域内的所述第二浅沟槽隔离结构的横向尺寸大于位于所述器件单元区域内的所述第一浅沟槽隔离结构的横向尺寸。