[发明专利]一种全光谱白光微LED芯片

权利要求书

1.一种全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述全光谱白光微LED芯片包括：

微LED阵列，所述微LED阵列包括基板以及阵列在所述基板上的微LED芯片；

片状荧光粉层，所述片状荧光粉层包括荧光粉层和硅胶，所述荧光粉层与所述微LED芯片尺寸一致，所述荧光粉层涂覆在所述微LED芯片的表面，相邻两个所述荧光粉层之间采用所述硅胶隔离；

芯片电极，所述芯片电极由所述微LED芯片引出，所述芯片电极作为所述微LED芯片的电连接端。

2.根据权利要求1所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片采用正装或倒装的结构形式安装在所述基板上。

3.根据权利要求2所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片为条形，多个所述微LED芯片平行间隔排布在所述基板上。

4.根据权利要求3所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片的宽度范围为50μm至300μm，所述微LED芯片的长度范围为250μm至1500μm，所述微LED芯片的数量为5个，相邻两个所述微LED芯片之间的间距范围为30μm至50μm。

5.根据权利要求4所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述基板上设置有焊盘，每个所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，所述芯片电极设置在所述焊盘上。

6.根据权利要求2所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片为方形，多个所述微LED芯片呈矩阵形式排布在所述基板上。

7.根据权利要求6所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片排布有5行5列，所述微LED芯片的边长范围为50μm至300μm，相邻两行或相邻两列所述微LED芯片之间的间距范围为30μm至50μm。

8.根据权利要求7所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述基板上设置有焊盘，每行所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，每列所述微LED芯片对应设置一个所述焊盘，所述芯片电极设置在所述焊盘上。

9.根据权利要求1至8任一项所述的全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片为GaN紫蓝光芯片，峰值波长范围为410nm至470nm。

10.一种全光谱白光微LED芯片，其特征在于，所述全光谱白光微LED芯片包括：

微LED阵列，所述微LED阵列包括基板以及阵列在所述基板上的微LED芯片；

片状荧光粉层，所述片状荧光粉层包括荧光粉层和硅胶，所述荧光粉层与所述微LED芯片尺寸一致，所述荧光粉层涂覆在所述微LED芯片的表面，相邻两个所述荧光粉层之间采用所述硅胶隔离；

芯片电极，所述芯片电极由所述微LED芯片引出，所述芯片电极作为所述微LED芯片的电连接端，所述芯片电极设置在所述基板的上方或下方。