[发明专利]一种新型单通道X射线二极管探测系统在审
申请号: | 201711245328.X | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107833820A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 李志超;谢旭飞;郭亮;李三伟;蒋晓华;杨冬;刘慎业;李琦;赵航;刘耀远 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | H01J40/02 | 分类号: | H01J40/02;H01J40/04 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 沈强 |
地址: | 621900 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 通道 射线 二极管 探测 系统 | ||
1.一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:包括有X射线源、中性衰减片、限孔光阑、薄滤片、厚滤片、X射线二极管、信号衰减器、示波器、采集计算机;所述X射线源发出的X射线依次通过中性衰减片、限孔光阑、薄滤片、厚滤片后射在X射线二极管的光阴极上;所述X射线二极管、信号衰减器、示波器、采集计算机依次电连接;所述X射线二极管发出的脉冲电信号经过信号衰减器衰减至示波器的量程范围内,并由采集计算机采集。
2.根据权利要求1所述的一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:所述薄滤片、厚滤片与X射线二极管的光阴极均采用钨元素制备。
3.根据权利要求1所述的一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:所述薄滤片与厚滤片在X射线入射方向重叠,且直径相同。
4.根据权利要求1所述的一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:所述厚滤片上满阵列针孔,阵列针孔的总面积与厚滤片总面积之比为1:5-1:7。
5. 根据权利要求1所述的一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:所述中性衰减片上排布有阵列针孔,针孔间隔为100-150 um,针孔尺寸为20-40 um。
6.根据权利要求1所述的一种新型单通道X射线二极管探测系统,其特征是:所述X射线源为受注入激光激励能够产生X射线的黑腔。
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