[发明专利]一种机械硬盘在审
| 申请号： | 201711244215.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108053846A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11B33/12 | 分类号： | G11B33/12 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 机械 硬盘 | ||
1.一种机械硬盘，其特征在于，包括一混合缓存模块和一磁盘存储阵列；
所述混合缓存模块包括一硅衬底以及位于所述硅衬底之上的缓存存储阵列，所述硅衬底中集成有相互连接的一缓存逻辑电路和一磁盘控制器；
所述缓存逻辑电路用于控制所述缓存存储阵列；
所述磁盘控制器与所述磁盘存储阵列连接，用于控制所述磁盘存储阵列。
2.根据权利要求1所述的机械硬盘，其特征在于，还包括一单一接口，所述单一接口用于与外部一动态随机存取存储器连接；
所述缓存逻辑电路和所述磁盘控制器共用所述单一接口。
3.根据权利要求2所述的机械硬盘，其特征在于，所述单一接口采用SATA总线标准。
4.根据权利要求2所述的机械硬盘，其特征在于，所述单一接口采用PCI-E总线标准。
5.根据权利要求4所述的机械硬盘，其特征在于，所述单一接口支持NVMe协议。
6.根据权利要求1所述的机械硬盘，其特征在于，所述缓存逻辑电路为CMOS逻辑电路。
7.根据权利要求1所述的机械硬盘，其特征在于，所述缓存存储阵列为纵向堆叠的三维存储阵列。
8.根据权利要求7所述的机械硬盘，其特征在于，所述三维存储阵列的纵向堆叠的层数为8～96。
9.根据权利要求7所述的机械硬盘，其特征在于，所述三维存储阵列为三维相变存储阵列。
10.根据权利要求7所述的机械硬盘，其特征在于，所述三维存储阵列为三维阻变存储阵列。
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