[发明专利]像素界定层、显示基板、显示装置、喷墨打印方法有效
申请号: | 201711242252.5 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN109860223B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 廖金龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 显示 显示装置 喷墨 打印 方法 | ||
1.一种像素界定层,包括:
第一像素界定层,所述第一像素界定层具有第一开口,所述第一开口包括对应于不同子像素的第一子像素开口和第二子像素开口;其中,所述第二子像素开口的开口大小大于所述第一子像素开口的开口大小;
第二像素界定层,位于所述第一像素界定层上,所述第二像素界定层具有第二开口,所述第二开口包括对应并连通于所述第一子像素开口的第四子像素开口和对应并连通于所述第二子像素开口的第五子像素开口;
其中,所述第四子像素开口与第一子像素开口的开口大小差值大于所述第五子像素开口与第二子像素开口的开口大小差值;
多个所述第二开口的大小相同。
2.根据权利要求1所述的像素界定层,其中,所述第一像素界定层的第一开口还包括开口大小大于所述第二子像素开口的第三子像素开口;所述第二像素界定层的第二开口还包括对应并连通于所述第三子像素开口的第六子像素开口,所述第五子像素开口与第二子像素开口的开口大小差值大于所述第六子像素开口与第三子像素开口的开口大小差值。
3.根据权利要求1所述的像素界定层,其中,所述第一像素界定层的材料包括亲水材料,所述第二像素界定层的材料包括疏水材料。
4.根据权利要求3所述的像素界定层,其中,所述亲水材料为硅氧化物或硅氮化物;所述疏水材料为聚亚酰胺。
5.根据权利要求3所述的像素界定层,其中,所述第一像素界定层的厚度为30nm-300nm,所述第二像素界定层的厚度为500nm-2000nm。
6.根据权利要求1所述的像素界定层,还包括基板,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层设置在所述基板上;在垂直于所述基板的方向上,所述像素界定层的截面呈阶梯状。
7.根据权利要求1所述的像素界定层,其中,多个所述第一开口的形状相同。
8.根据权利要求1所述的像素界定层,其中,多个所述第二开口的形状相同。
9.根据权利要求7或8所述的像素界定层,还包括基板,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层设置在所述基板上;所述第一开口与所述第二开口在所述基板上的正投影为矩形。
10.根据权利要求1所述的像素界定层,还包括基板,所述第一像素界定层和所述第二像素界定层设置在所述基板上;在垂直于所述基板的方向上,所述第一像素界定层和/或所述第二像素界定层的截面呈梯状。
11.一种利用权利要求1-10任一所述的像素界定层进行喷墨打印方法,包括:
在所述第一像素界定层和所述第二像素界定层的开口中进行喷墨打印,并且喷墨打印在所述像素界定层中的墨水的高度高于所述第一像素界定层的高度。
12.根据权利要求11所述的喷墨打印方法,其中,
在所述第一像素界定层和第二像素界定层的开口中进行喷墨打印的墨水干燥后形成的膜层位于所述第一像素界定层中;或者
在所述第一像素界定层和第二像素界定层的开口中进行喷墨打印的墨水干燥后形成的膜层位于所述第一像素界定层和第二像素界定层中。
13.一种显示基板,包括权利要求1-10任一所述的像素界定层。
14.根据权利要求13所述的显示基板,还包括设置于由所述多个第一开口与所述多个第二开口一一对应连通所得到的多个子像素区域中的发光层、电子注入层、空穴注入层、电子传输层和空穴传输层中的一种或几种。
15.根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述显示面板具有红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素,所述红色子像素、所述绿色子像素与所述蓝色子像素所对应的第一开口的大小依次增大。
16.一种显示装置,包括权利要求13-15任一所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的