[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于所述鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；

在所述鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；

在所述第一衬垫层表面、所述鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在所述衬底上形成覆盖所述第二衬垫层的隔离膜，所述隔离膜顶部高于所述鳍部顶部或与所述鳍部顶部齐平；

去除高于所述鳍部第一部分顶部的第二衬垫层以及隔离膜，剩余隔离膜形成隔离层；

在所述隔离层露出的所述鳍部顶部及侧壁表面形成栅氧化层；

形成所述第一衬垫层的工艺步骤包括：在所述鳍部第一部分侧壁、所述鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第一衬垫膜；在所述衬底上形成抗反射涂层，所述抗反射涂层顶部与所述鳍部第一部分顶部齐平；去除位于所述鳍部第二部分顶部及侧壁上的所述第一衬垫膜，剩余第一衬垫膜形成第一衬垫层；去除所述抗反射涂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在形成所述栅氧化层之前，所述鳍部两侧的所述隔离层宽度不相等。

3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述鳍部的数量为多个，在形成所述栅氧化层之前，部分所述鳍部两侧的所述隔离层宽度相等，其余所述鳍部两侧的所述隔离层宽度不相等。

4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底包括边缘区域以及位于相邻边缘区域之间的中心区域；所述中心区域的所述鳍部两侧的所述隔离层宽度相等，所述边缘区域的所述鳍部两侧的所述隔离层宽度不相等。

5.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述隔离层顶部与所述鳍部第一部分顶部齐平；在形成所述栅氧化层的步骤中，在所述隔离层露出的鳍部第二部分顶部和侧壁上形成所述栅氧化层。

6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述隔离层顶部低于所述鳍部第一部分顶部；在形成所述隔离层的工艺步骤中，还去除所述鳍部第一部分部分侧壁上的第一衬垫层、第二衬垫层以及隔离膜，露出所述鳍部第一部分部分侧壁；在形成所述栅氧化层的步骤中，在所述隔离层露出的鳍部第一部分侧壁、鳍部第二部分顶部及侧壁上形成所述栅氧化层。

7.如权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述鳍部第一部分部分侧壁上的所述隔离膜的厚度为

8.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述隔离膜的工艺步骤包括：在所述衬底上形成覆盖所述第二衬垫层的初始隔离膜，且所述初始隔离膜顶部高于位于鳍部第二部分顶部上的第二衬垫层顶部；对所述初始隔离膜进行平坦化处理，形成所述隔离膜。

9.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述隔离膜的顶部高于位于鳍部第二部分顶部上的第二衬垫层顶部；或者，所述隔离膜顶部与位于鳍部第二顶部上的第二衬垫层顶部齐平。

10.如权利要求8所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述初始隔离膜的形成工艺包括流体化学气相沉积工艺或高深宽比化学气相沉积工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层厚度及第二衬垫层厚度的总和为

12.如权利要求1或11所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层厚度及第二衬垫层厚度的比值为0.5～1。

13.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述鳍部第一部分高度与所述鳍部第二部分高度的比值为0.5～1.25。

14.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，采用热氧化处理工艺形成所述栅氧化层。