[发明专利]一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法

权利要求书

1.一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法，其特征在于，它是包括下列步骤：

A．YAG荧光粉的制备：取氧化钇Y₂O₃，氧化铝Al₂O₃，氧化铈CeO₂，经过研磨混合均匀，然后采用高温固相法，在1600℃还原气氛中烧结制得YAG荧光粉，还原气氛为氢气和氮气的混合气体、其中氢气和氮气的体积比为10：90；其中氧化钇Y₂O₃，氧化铝Al₂O₃，氧化铈CeO₂摩尔比为3：3~6：0.04~0.08；

B．素坯的制备：取步骤A中制得的YAG荧光粉，于温度20~25℃环境条件下加入粘合剂，然后研磨均匀，置于真空箱中脱气，设置真空度为-0.05MPa~-0.08Mpa，在该真空度下保持3~5分钟，取出，在模具上浇制成型，再置于真空箱中脱气、风干，取下，即得素坯，备用；所述YAG荧光粉与粘合剂的质量比为5：1~9；所述YAG荧光粉的组成为YAG:Ce³⁺；所述YAG荧光粉的基质为Y₃Al₅O₁₂；所述粘合剂为苯丙乳液和乙烯基乳液组成的复合粘合剂，二者需按质量比为1:0.8~1.2混合制得；

C．成型：将步骤B中制得的素坯放入真空炉中以800~1700℃煅烧2~20h，煅烧程序：先在800~1200℃真空烧结2~3h，脱去试样中的粘结剂，继续升温至1400~1650℃还原气氛中烧结2~5h，还原气氛为氢气和氩气的混合气体、其中氢气和氩气的体积比为10：90~98，继续升温到1700℃在真空条件下烧结2~15h，取出，再经退火处理即得。

2.如权利要求1所述的一种半透明YAG发光薄陶瓷半自由成型的方法，其特征在于，所述YAG荧光粉的激发峰和发射峰分别为460nm±10nm和550nm±10nm，发射光谱在500～700nm之间，呈宽带发射。

3.如权利要求2所述方法制得的半透明YAG发光薄陶瓷在照明系统中的应用，所述照明系统的激发光源为激光光束或普通LED芯片。