[发明专利]刻蚀腔体部件的检测方法

权利要求书

1.一种刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于，用于对在刻蚀工艺中会和刻蚀腔体内的等离子体直接接触的部件进行检测，包括如下步骤：

步骤一、采用第一工艺气体进行第一次等离子体刻蚀作业实现对所述刻蚀腔体的部件进行表面刻蚀冲洗处理，所述表面刻蚀冲洗处理去除所述部件的表面的附着物和氧化物以及所述部件表面部分的本体材质；

步骤二、采用第二工艺气体进行第二次等离子体刻蚀作业实现对所述部件的表面进行刻蚀和氧化处理并用于对所述部件表面进行粗糙化和剥离；之后，采用Ar气体对所述部件表面进行物理性轰击处理；

步骤三、步骤一至二重复一次以上直至激发所述部件的表面材质，当所述部件存在缺陷源时，激发表面材质后的所述部件的缺陷源会显现；之后对所述刻蚀腔体进行颗粒度检测，当检测到的颗粒度正常时，则表明所述部件正常；当检测到的颗粒度异常时，则表明所述部件存在缺陷源。

2.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤一中所述第一工艺气体包括NF3或SF6。

3.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤一中所述第一工艺气体的流量大于500sccm。

4.如权利要求1或2或3所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：在步骤一的所述表面刻蚀冲洗处理中，还包括从所述刻蚀腔体的静电吸盘背面通入氦气的步骤，所述氦气的气流和所述第一工艺气体的气流相混合形成涡流实现对所述刻蚀腔体内的部件表面进行反复的冲洗。

5.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤二中的所述第二工艺气体为氧气。

6.如权利要求1或5所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：在步骤二的所述刻蚀和氧化处理中，还包括从所述刻蚀腔体的静电吸盘背面通入氦气的步骤，所述氦气的气流和所述第二工艺气体的气流相混合形成涡流实现对所述刻蚀腔体内的部件表面进行反复的刻蚀。

7.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：在进行步骤一的所述第一次等离子体刻蚀作业之前还包括对所述刻蚀腔体进行抽真空处理，使步骤一至三的工艺过程中所述刻蚀腔体都处于低压状态。

8.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤一和二中，所述刻蚀腔体的偏压设置为0V。

9.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤三中当检测到的颗粒度正常时，检测结束，所述刻蚀腔体能开始进行产品生产。

10.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤三中当检测到的颗粒度异常时，对所述刻蚀腔体的部件进行更换，并重新对更换的所述部件进行步骤一至三的检测，直至步骤三中颗粒度检测正常。

11.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：刻蚀腔体部件的检测方法放置在部件更换后进行。

12.如权利要求11所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：所述部件是对所述刻蚀腔体进行预防维护保养时更换的部件。

13.如权利要求11所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：刻蚀腔体部件的检测方法放置在所述刻蚀腔体生产的产品出现颗粒度问题时进行，用于确定所述产品的颗粒度问题的缺陷源是否来自所述刻蚀腔体的部件。

14.如权利要求11所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤三中的颗粒度检测包括如下分步骤：

步骤31、提供一晶圆假片，将所述晶圆假片放置在所述刻蚀腔体中进行刻蚀工艺；

步骤32、取出所述晶圆假片并测量所述晶圆假片表面的颗粒度。

15.如权利要求1所述的刻蚀腔体部件的检测方法，其特征在于：步骤三中，步骤一至二重复次数为5次以上。