[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

本发明的目的在于提供一种既降低对基板的污染又能对基板进行温度调节的技术。基板处理装置(10)具有板构件(30)，其具有与旋转台(22)的表面(22S)相向的基部(32)，以该基部(32)被配设在旋转台(22)与由多个基板保持构件(26)所保持的基板(W)之间的状态，利用旋转驱动部(24)使板构件(30)与旋转台(22)一同旋转。此外，基板处理装置(10)具有：加热用流体供给部(50)及冷却用流体供给部(60)，向旋转台(22)与板构件(30)之间供给对板构件(30)进行温度调节的温度调节用流体；控制部(3)，控制从加热用流体供给部(50)及冷却用流体供给部(60)供给温度调节用流体。

技术领域

本发明涉及处理基板的技术，特别是涉及对基板进行温度调节的技术。

背景技术

在半导体晶片等的基板处理中，在一些情况下，一边用处理液处理基板，一边进行升高或降低基板的温度的温度调节处理。

作为这样的对基板进行温度调节的技术，例如，存在向基板的背面喷出高温的药液或蒸汽等，由此使基板升温的技术(例如，专利文献1)。此外，还存在使加热器与基板的背面接触或靠近，由此使基板升温的技术(例如，专利文献2)。

专利文献1：日本特开2014-038949号公报

专利文献2：日本特开2015-162597号公报

然而，专利文献1的技术中，由于对基板直接喷出加热后的药液等，因此可能对可使用的药液等产生限制。

此外，如专利文献2那样使用加热器的情况下，虽然难以产生如专利文献1那样的对药液的限制，但是使用加热器也可能产生各种问题。

例如，由于加热器上连接有电源电缆等，因此难以使加热器自身旋转。因此，在处理液落到加热器上的情况下，难以将该处理液从加热器上排出。因此，由于加热器靠近基板的背面，因此在加热器反弹或蒸发的处理液可能会污染基板的背面。

因此，本发明的目的在于提供一种既降低对基板的污染又能对基板进行温度调节的技术。

发明内容

为了解决上述的课题，第一实施方式是一种基板处理装置，用于处理基板，具有：旋转台，能够以规定的旋转轴线为中心旋转，旋转驱动部，使所述旋转台以所述旋转轴线为中心旋转，基板保持构件，设置在所述旋转台的一侧的表面，将所述基板保持在从所述旋转台向所述一侧离开的位置上，板构件，具有与所述旋转台的所述一侧的表面相向的基部，以所述基部被配设在所述旋转台与由所述基板保持构件保持的所述基板之间的状态，利用所述旋转驱动部使该板构件与所述旋转台一同旋转，以及温度调节用流体供给部，向所述旋转台与所述板构件之间供给对所述板构件进行温度调节的温度调节用流体。

此外，第二实施方式根据第一实施方式的基板处理装置，其中，还具有板构件移动机构，所述板构件移动机构使所述板构件在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置在所述旋转台的所述一侧，所述第二位置比所述第一位置更靠近由所述基板保持构件保持的所述基板的背面。

此外，第三实施方式根据第一实施方式或第二实施方式的基板处理装置，其中，所述板构件移动机构具有：第一磁体部，设置在所述板构件，第二磁体部，配设在所述旋转台的另一侧，对所述第一磁体部施加斥力，以及相对移动机构，支承所述第二磁体部，并且使所述第二磁体部相对地靠近及离开所述第一磁体部；所述第一磁体部及所述第二磁体部中的至少一者形成为以所述旋转轴线为中心轴的圆环状。

此外，第四实施方式根据第一实施方式至第三实施方式中的任一种基板处理装置，其中，还具有温度调节用流体排出部，所述温度调节用流体排出部排出所述温度调节用流体，所述板构件具有筒状的第一裙板部，所述第一裙板部形成为在比所述旋转台更靠外侧的位置从比所述旋转台扩展得更大的所述基部向所述旋转台侧伸出的环状，所述温度调节用流体排出部用于将碰到所述第一裙板部并落下的所述温度调节用流体排出。