[发明专利]一种渗透有重稀土的钕铁硼磁体及在钕铁硼磁体表面渗透重稀土的方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，由表面复合有镀层的钕铁硼磁体毛坯经热处理后得到；

所述表面复合有镀层的钕铁硼磁体毛坯包括钕铁硼磁体毛坯，复合在钕铁硼磁体表面的金属层，以及再次复合在金属层表面的重稀土层或重稀土合金层。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述金属为低熔点金属；

所述金属的熔点为小于等于500℃；

所述重稀土包括镝、铽和钬中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述金属包括铝、锌、锡或铜；

所述重稀土包括镝、铽和钬中的一种或多种；

所述重稀土合金的合金元素包括铝、铜、锌、锡和镍中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述表面复合有镀层的钕铁硼磁体毛坯还包括继续复合在所述重稀土层或重稀土合金层表面的非稀土金属层或非稀土合金层；

所述非稀土金属包括铜、锆、钨、钽或铌；

所述非稀土合金包括铜、铝、锆和钨中的两种或多种。

5.根据权利要求4所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述金属层的厚度为1～3μm；

所述重稀土层或重稀土合金层的厚度为2～20μm；

所述非稀土金属层或非稀土合金层的厚度为1～3μm。

6.一种如权利要求1～5任意一项所述的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在工作气体的条件下，将金属原料和钕铁硼磁体毛坯，经过第一次气相沉积后，得到表面复合有金属层的钕铁硼磁体毛坯；

2)在工作气体的条件下，将重稀土或重稀土合金原料，以及上述步骤得到的表面复合有金属层的钕铁硼磁体毛坯，经过第二次气相沉积后，得到表面复合有重稀土层或重稀土合金层的钕铁硼磁体毛坯；

3)在真空条件下，将上述步骤得到的表面复合有重稀土层或重稀土合金层的钕铁硼磁体毛坯经过热处理后，得到钕铁硼磁体毛坯，再经过后续处理后，得到钕铁硼磁体。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)具体为：

21)在工作气体的条件下，将重稀土或重稀土合金原料，以及上述步骤得到的表面复合有金属层的钕铁硼磁体毛坯，经过第二次气相沉积后，得到表面复合有重稀土层或重稀土合金层的钕铁硼磁体毛坯；

22)在工作气体的条件下，将非稀土金属或非稀土合金原料，以及上述步骤得到的表面复合有重稀土层或重稀土合金层的钕铁硼磁体毛坯，经过第三次气相沉积后，得到表面复合有非稀土金属层或非稀土合金层的钕铁硼磁体毛坯。

8.根据权利要求7述的制备方法，其特征在于，所述气相沉积包括蒸镀、多弧离子镀和磁控溅射中的一种或多种；

所述气相沉积的压力为0.1～0.6Pa；

所述气相沉积的温度为100～400℃。

9.根据权利要求8述的制备方法，其特征在于，所述第一次气相沉积、第二次气相沉积以及第三次气相沉积均为磁控溅射；

所述第一次气相沉积的电流为3～20A；所述第一次气相沉积的时间为0.2～1h；

所述第二次气相沉积的电流为3～20A；所述第二次气相沉积的时间为1～5h；

所述第三次气相沉积的电流为3～20A；所述第三次气相沉积的时间为0.2～1h。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热处理包括高温扩散处理和低温回火处理；

所述高温扩散处理的温度为700～1000℃，所述高温扩散处理的时间为3～20小时；

所述低温回火处理的温度为450～750℃，所述低温回火处理的时间为1～8小时。