[发明专利]一种钕铁硼磁体及钕铁硼磁体表面镀层的方法

权利要求书

1.一种表面镀有防腐层的钕铁硼磁体，其特征在于，包括钕铁硼磁体，复合在钕铁硼磁体表面的多弧离子镀层，以及复合在多弧离子镀层表面的磁控溅射镀层。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述多弧离子镀层的厚度为0.5～3μm；

所述磁控溅射镀层的厚度为3～20μm。

3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述多弧离子镀层的镀层材质包括铝、锌和铝合金中的一种或多种；

所述磁控溅射镀层的镀层材质包括铝、锌和铝合金中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述多弧离子镀层的镀层材质包括镍、铜、镝合金、铽合金、镍铬合金、钛、钼、三氧化二铝、氧化锆和氧化锌中的一种或多种；

所述磁控溅射镀层的镀层材质包括镍、铜、镝合金、铽合金、镍铬合金、钛、钼、三氧化二铝、氧化锆和氧化锌中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述多弧离子镀层的镀层材质包括铝与软金属的合金；

所述软金属的莫氏硬度小于5；

所述磁控溅射镀层的镀层材质包括铝与硬金属的合金；

所述硬金属的莫氏硬度大于等于5。

6.根据权利要求5所述的钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体为烧结钕铁硼磁体；

所述钕铁硼磁体中各成分按质量百分比组成，包括：Pr-Nd：28％～33％；Dy：0～10％；Tb：0～10％；Nb：0～5％；B：0.5％～2.0％；Al：0～3.0％；Cu：0～1％；Co：0～3％；Ga：0～2％；Gd：0～2％；Ho：0～2％；Zr：0～2％；余量为Fe；

所述软金属包括铜、锌、锡、金和银中的一种或多种；

所述硬金属包括锆、镍、钨、铌、钽、铬和钼中的一种或多种。

7.一种钕铁硼磁体表面镀层的镀层方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将经过处理的钕铁硼磁体，进行多弧离子镀后，得到表面复合有多弧离子镀层的钕铁硼磁体；

2)将上述步骤得到的表面复合有多弧离子镀层的钕铁硼磁体，进行磁控溅射镀后，得到表面复合有磁控溅射镀层的钕铁硼磁体。

8.根据权利要求7所述的镀层方法，其特征在于，所述多弧离子镀的电流为20～80A；

所述多弧离子镀的时间为0.2～1h。

9.根据权利要求7所述的镀层方法，其特征在于，所述磁控溅射镀的电流为5～25A；

所述磁控溅射镀的时间为1～5h。

10.根据权利要求7所述的镀层方法，其特征在于，所述多弧离子镀的真空度为(1～9)×10^-3Pa；

所述磁控溅射镀的真空度为(1～9)×10^-3Pa；

所述多弧离子镀的温度为80～200℃；

所述磁控溅射镀的温度为80～200℃；

所述处理包括酸洗处理和除杂处理中的一种或多种。