[发明专利]一种水蒸气氧化退火系统

说明书

本发明公开一种水蒸气氧化退火系统。所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。本发明提供的退火系统能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及退火处理领域，特别是涉及一种水蒸气氧化退火系统

背景技术

近年来，薄膜晶体管作为液晶显示以及有机发光二极管有源驱动的开关器件，得到了广泛的应用。真空方法制备薄膜晶体管已经开始商业化，但是制造设备价格昂贵、成本高等因素严重制约了其使用范围。而现有的喷墨打印、丝网印刷和溶液旋涂等制备薄膜晶体管方法虽然制造成本低，但是在制备有源层薄膜和绝缘层薄膜的过程中需要进行水蒸气氧化退火处理。但是，现有的水蒸气氧化退火处理中都是一次性通入设定量的水蒸气，退火处理开始阶段水氧率太高，而在结束阶段水氧率又太低，使整个氧化过程无法充分均匀的进行，导致形成的有源层薄膜和绝缘层薄膜的缺陷增多，薄膜晶体管性能下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种水蒸气氧化退火系统，能够使水蒸气氧化退火处理过程中的水氧率保持恒定，从而提高有源层薄膜和绝缘层薄膜的质量，进一步提升薄膜晶体管的性能。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种水蒸气氧化退火系统，所述退火系统包括：退火装置、水蒸气发生装置、水氧检测仪、比例阀、控制器和气体导管，其中，

所述水蒸气发生装置与所述退火装置通过所述气体导管连接，所述比例阀设置在所述气体导管上；

所述水氧检测仪设置在所述退火装置中且与所述控制器连接，所述水氧检测仪用于检测所述退火装置中的水氧率数据；所述控制器与所述比例阀的控制端连接，所述控制器用于根据所述水氧率数据发出开度控制信号，所述比例阀根据所述开度控制信号控制流过所述比例阀的气体量。

可选的，所述退火系统包括与所述控制器连接的报警装置，所述控制器用于当所述水氧率数据大于设定的上限阈值或小于设定的下限阈值时，向所述报警装置发出报警指令，所述报警装置用于根据所述报警指令发出报警信号。

可选的，所述报警装置包括分别与所述控制器连接的指示灯和蜂鸣器。

可选的，所述退火系统还包括设置在所述退火装置上的第一泄压阀，所述退火装置的腔体通过所述第一泄压阀的开启与关闭实现与外界连通与隔绝。

可选的，所述退火系统还包括设置在所述退火装置中的第一气压测量装置，且所述第一气压测量装置与所述控制器连接。

可选的，所述退火系统还包括设置在所述水蒸气发生装置上的第二泄压阀，所述水蒸气发生装置的腔体通过所述第二泄压阀的开启与关闭实现与外界连通与隔绝。

可选的，所述退火系统还包括设置在所述水蒸气发生装置中的第二气压测量装置，且所述第二气压测量装置与所述控制器连接。

可选的，所述退火系统还包括显示器，用于显示所述水氧率数据、所述第一气压测量装置测量的所述退火装置中的气压数据。

可选的，所述显示器还用于显示所述第二气压测量装置测量的所述水蒸气发生装置中的气压数据。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：