[发明专利]多沟道的横向高压器件

权利要求书

1.一种多沟道的横向高压器件，其元胞结构集成在第一导电类型半导体衬底(1)上，包括设置在衬底上端面的埋氧层(2)、设置在埋氧层(2)上方的第二导电类型半导体漂移区(3)、设置在第二导电类型半导体漂移区(3)左侧外部的槽结构(4)、在第二导电类型半导体漂移区(3)内部右侧的第二导电类型半导体漏区(7)、第二导电类型半导体漂移区(3)内部紧邻槽结构(4)右侧的第一导电类型半导体体区(5)、位于第一导电类型半导体体区(5)内部紧邻槽结构(4)右侧的第二导电类型半导体源区(8)和第一导电类型半导体接触区(9)，所述第一导电类型半导体体区(5)、第二导电类型半导体源区(8)、第一导电类型半导体接触区(9)三者形成一个体区单元，所述器件包括至少一个体区单元，相邻的体区单元之间设有间隙，每个体区单元中第一导电类型半导体接触区(9)位于两个第二导电类型半导体源区(8)之间，其特征在于：在槽结构(4)中设有多栅极金属结构(10)，所述多栅极金属结构(10)包括至少两个从器件表面引至槽结构(4)内的金属栅极，每个金属栅极的最右端与槽结构(4)右端的间距为栅氧厚度，金属栅极的最右端覆盖第一导电类型半导体体区(5)内部第二导电类型半导体源区(8)两侧的区域，在第二导电类型半导体漏区(7)上方设有漏极金属(11)，源极金属(12)从器件表面引至每个体区单元内的两个第二导电类型半导体源区(8)的左侧并覆盖第一导电类型半导体接触区(9)的左侧，源极金属(12)和相邻的金属栅极之间不接触，多栅极金属结构(10)在第一导电类型半导体体区(5)内部提供了至少两个沟道，给载流子提供了低阻通道。

2.根据权利要求1所述的多沟道的横向高压器件，其特征在于：每个金属栅极在器件表面相互连接。

3.根据权利要求1所述的多沟道的横向高压器件，其特征在于：每个金属栅极在器件内部相互连接。

4.根据权利要求1所述的多沟道的横向高压器件，其特征在于：器件包括两个所述体区单元，所述多栅极金属结构(10)包括3个从器件表面引至槽结构(4)内的金属栅极，多栅极金属结构(10)在第一导电类型半导体体区(5)内部提供了4个沟道，每个金属栅极通过通孔的方式引至器件表面。

5.根据权利要求1所述的多沟道的横向高压器件，其特征在于：第二导电类型半导体漏区(7)替换成第一导电类型半导体，从而形成LIGBT的结构。

6.根据权利要求1所述的多沟道的横向高压器件，其特征在于：衬底材料为SOI衬底或体硅。