[发明专利]一种盖板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明的实施例提供一种盖板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可改善由于盖板反光而导致反射光线进入阵列基板，影响阵列基板性能的问题。一种盖板，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的辅助阴极，还包括设置于所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧的包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上设置有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层设置于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种盖板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置以轻薄、低功耗、高响应、高分辨率等优点，受到广泛关注。顶发射OLED可有效解决由于复杂的像素电路所带来的开口率降低及亮度降低的问题，同时利用顶发射OLED结构中存在的微腔效应，还可以对OLED显示装置的色域进行改善，提高显示效果。

如图1所示，现有技术中顶发射OLED显示装置包括阵列基板10和盖板20；阵列基板10包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)(图中未标识出)、像素界定层11和顶发射型OLED 12，OLED12包括阳极121、有机材料功能层122和阴极123；盖板20包括辅助阴极21、隔垫物22和导电层23，导电层23用于使阴极123与辅助阴极21电连接。

由于仅有部分辅助阴极21处设置了隔垫物22，其余辅助阴极21处仅有一层非常薄的透明的导电层23，因此，从阵列基板10发出的光照射到金属的辅助阴极21上会产生比较强的反射光(如图1所示的虚线箭头)，反射光线会通过各子像素的阳极121之间的区域进入阵列基板10内部，并在阵列基板10内部进行漫反射，最终影响阵列基板10上TFT(Thin FilmTransistor)的稳定性。

发明内容

本发明的实施例提供一种盖板及其制备方法、显示装置，可改善由于盖板反光而导致反射光线进入阵列基板，影响阵列基板性能的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种盖板，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的辅助阴极，还包括设置于所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧的包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上设置有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层设置于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

优选的，所述包覆层设置于非发光区；所述柱状图形与所述包覆层为一体结构。

进一步优选的，所述包覆层和所述柱状图形的材料为感光性有机树脂。

优选的，所述接触孔均匀分布，在一个像素区域至少设置一个所述接触孔。

优选的，所述盖板还包括黑矩阵，所述辅助阴极设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底一侧。

进一步优选的，所述盖板还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底的一侧。

第二方面，提供一种显示装置，包括阵列基板和第一方面所述的盖板；所述阵列基板包括第二衬底、设置于所述第二衬底上每个子像素区域的顶栅型OLED。

第三方面，提供一种盖板的制备方法，包括：在第一衬底上形成辅助阴极，还包括：在所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧形成包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上还形成有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层形成于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

优选的，所述包覆层位于非发光区；所述柱状图形与所述包覆层为一体结构。