[发明专利]一种工业大麻室内盆栽培育方法

权利要求书

1.一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于所述方法步骤如下：

一、选种：选取大小均匀、完整饱满、无病虫侵害、发育成熟的工业大麻种子；

二、种子处理：利用多福克种衣剂对工业大麻种子进行拌种处理；

三、培养基质的准备和处理：培养基质为沙壤土，种植前在培养基质中按一定质量比拌施复合肥；准备培养盆和空心硬塑料灌管，将灌管倾斜放置在培养盆中且灌管管口高于培养盆上边缘，将培养基质放入培养盆中，压实后浇透水待用；

四、种植：在培养基质表面钻孔以放入种子，覆土压实，再轻轻覆盖一层细沙，以保持土壤湿度；

五、培养：在一定环境温度、相对湿度和黑暗条件下培养至出苗；出苗后施加光照，并在不同发育期进行光周期调控；待植株幼苗发育至2-3cm，根据种植需要进行间苗处理，至3-5叶期定苗；根据幼苗生长情况进行浇水、施肥和病虫害防治，直至工业大麻成熟。

2.根据权利要求1所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤二所述拌种处理时种衣剂的质量终浓度为0.2-0.3％。

3.根据权利要求1或2所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤三所述沙壤土由土和细沙按质量比10-15:1配制而成；所述复合肥中氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1。

4.根据权利要求3所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤四所述种植前对栽培环境进行杀菌消毒处理，所述杀菌消毒处理是利用紫外灯照射或利用甲醛和高锰酸钾混合进行密闭熏蒸对栽培环境进行杀菌消毒处理，杀菌消毒处理后先进行通风处理再将所述装有栽培基质的培养盆放置在栽培环境中，或将所述装有培养基质的培养盆放置在栽培环境中同时进行杀菌消毒处理。

5.根据权利要求4所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤四所述钻孔的孔深2-3cm，每孔1-2粒工业大麻种子。

6.根据权利要求5所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述环境温度为24-30℃，所述相对湿度为40-60％；所述光照为全光谱光源进行照射，光强为20000Lux；所述光周期调控范围为出苗期光照13-14h，3对叶片时期光照15-16h，现蕾期至花期光照16-17h，成熟期光照13-15h。

7.根据权利要求6所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述浇水是利用培养盆中的空心硬塑料灌管浇水，将水直接浇灌至培养盆底部。

8.根据权利要求7所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述施肥是在现蕾前期追施复合肥或喷施植物生长调节剂IAA；所述复合肥的氮、磷和钾的质量比为3:2:1；培养基质与复合肥的质量比为200:1；所述植物生长调节剂IAA的喷施浓度为100ppm。

9.根据权利要求8所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述病虫害防治是喷施高效氯氢菊酯以防治跳甲虫害，所述高效氯氢菊酯配制时高效氯氢菊酯药剂与水的体积比为1:300。

10.根据权利要求9所述一种工业大麻室内盆栽培育方法，其特征在于步骤五所述病虫害防治是利用杀菌剂恶霉灵防治根腐病，在种植前将恶霉灵加到培养基质中或在发病初期进行灌根处理；利用五硝多菌灵或百菌清防治枯萎病，在发病初期进行喷施处理或灌根处理，并视病情隔7天再次施药一次。